Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
NTE460
  • В избранное
  • В сравнение
NTE460

NTE460

NTE460
;
NTE460

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE460
  • Описание:
    JFET-P-CH AF AMPВсе характеристики

Минимальная цена NTE460 при покупке от 1 шт 2223.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE460 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE460

NTE460 NTE Electronics Inc JFET-P-CH AF AMP

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый транзистор с полупроводниковым каналом (JFET)
    • Напряжение проводимости: до 20 В
    • Рабочий ток: до 10 мА
    • Частота: до 50 МГц
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность характеристики
    • Устойчивость к электромагнитному излучению
    • Малый размер и простота конструкции
  • Минусы:
    • Низкая токовая устойчивость
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Использование в качестве активного элемента в усилителях сигнала
    • Встраивание в радиоприемники для усиления слабых сигналов
    • Применение в цифровой электронике для предварительного усиления сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизионные приемники
    • Цифровые устройства
    • Профессиональное оборудование для усиления сигналов
Выбрано: Показать

Характеристики NTE460

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    20 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2 mA @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    20pF @ 10V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    800 Ohms
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-72

Техническая документация

 NTE460.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 223 ₽
  • 2
    1 482 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE460
  • Описание:
    JFET-P-CH AF AMPВсе характеристики

Минимальная цена NTE460 при покупке от 1 шт 2223.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE460 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE460

NTE460 NTE Electronics Inc JFET-P-CH AF AMP

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый транзистор с полупроводниковым каналом (JFET)
    • Напряжение проводимости: до 20 В
    • Рабочий ток: до 10 мА
    • Частота: до 50 МГц
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность характеристики
    • Устойчивость к электромагнитному излучению
    • Малый размер и простота конструкции
  • Минусы:
    • Низкая токовая устойчивость
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Использование в качестве активного элемента в усилителях сигнала
    • Встраивание в радиоприемники для усиления слабых сигналов
    • Применение в цифровой электронике для предварительного усиления сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизионные приемники
    • Цифровые устройства
    • Профессиональное оборудование для усиления сигналов
Выбрано: Показать

Характеристики NTE460

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    20 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2 mA @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    20pF @ 10V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    800 Ohms
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-72

Техническая документация

 NTE460.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UJ3N065025K3S650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    3 794Кешбэк 569 баллов
    SST402 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    753Кешбэк 112 баллов
    LS3958 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 623Кешбэк 243 балла
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LSBF510 SOT-23 3L ROHSHIGH GAIN, SINGLE N-CHANNEL JFET
    924Кешбэк 138 баллов
    LS845 SOT-23 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 645Кешбэк 246 баллов
    SST204 SOT-23 3LLOW NOISE, SINGLE, N-CHANNEL JFE
    924Кешбэк 138 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 392Кешбэк 358 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 562Кешбэк 384 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 853Кешбэк 277 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 736Кешбэк 260 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 094Кешбэк 314 баллов
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 423Кешбэк 363 балла
    NTE468JFET-N-CHANNEL SWITCH TO-92
    358Кешбэк 53 балла
    NTE467JFET-N-CH CHOPPER/FAST SW
    550Кешбэк 82 балла
    NTE312JFET-N-CH VHF AMP/MIX
    5 558Кешбэк 833 балла
    NTE466JFET-N-CH CHOPPER/SW
    1 084Кешбэк 162 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП