Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NTE491T
  • В избранное
  • В сравнение
NTE491T

NTE491T

NTE491T
;
NTE491T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE491T
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237Все характеристики

Минимальная цена NTE491T при покупке от 1 шт 1260.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE491T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE491T

NTE491T N-CHANNEL MOSFET 60V 310mA TO237

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 310мА
    • Контейнер: TO237
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами
    • Необходимо внимание к размещению для предотвращения тепловых проблем
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
    • Блокировка или активация электрических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Питание электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики NTE491T

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    310mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +15V, -300mV
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-237
  • Корпус
    TO-237AA

Техническая документация

 NTE491T.pdf
pdf. 0 kb
  • 4 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 260 ₽
  • 3
    1 133 ₽
  • 10
    1 002 ₽
  • 25
    899 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE491T
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237Все характеристики

Минимальная цена NTE491T при покупке от 1 шт 1260.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE491T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE491T

NTE491T N-CHANNEL MOSFET 60V 310mA TO237

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 310мА
    • Контейнер: TO237
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами
    • Необходимо внимание к размещению для предотвращения тепловых проблем
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
    • Блокировка или активация электрических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Питание электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики NTE491T

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    310mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +15V, -300mV
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-237
  • Корпус
    TO-237AA

Техническая документация

 NTE491T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STD3N95K5AGMOSFET N-CH 950V 2A DPAK
    482Кешбэк 72 балла
    STI6N95K5NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
    482Кешбэк 72 балла
    STF18N60M6MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
    484Кешбэк 72 балла
    STD16N60M6MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
    488Кешбэк 73 балла
    STD40P8F6AGMOSFET P-CH 80V DPAK
    489Кешбэк 73 балла
    STP6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A TO220
    493Кешбэк 73 балла
    STB5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
    499Кешбэк 74 балла
    STF6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
    505Кешбэк 75 баллов
    STI6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
    510Кешбэк 76 баллов
    STU6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
    512Кешбэк 76 баллов
    STP7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO220
    520Кешбэк 78 баллов
    STB16N90K5MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
    531Кешбэк 79 баллов
    STL260N4F7MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
    535Кешбэк 80 баллов
    STL190N4F7AGMOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
    539Кешбэк 80 баллов
    STL210N4LF7AGТранзистор: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
    560Кешбэк 84 балла
    STI24N60M6MOSFET N-CH 600V I2PAK
    564Кешбэк 84 балла
    STD6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
    579Кешбэк 86 баллов
    STF7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP
    584Кешбэк 87 баллов
    STFH13N60M2MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
    598Кешбэк 89 баллов
    STL260N4LF7N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
    600Кешбэк 90 баллов
    STB18N60M6MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
    601Кешбэк 90 баллов
    STL24N60DM2MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
    607Кешбэк 91 балл
    STL115N10F7AGMOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
    607Кешбэк 91 балл
    STP24N60M6MOSFET N-CH 600V TO220
    607Кешбэк 91 балл
    STD7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
    613Кешбэк 91 балл
    STW7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3
    615Кешбэк 92 балла
    STB80NF55-08AGMOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
    621Кешбэк 93 балла
    STF16N60M6MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
    624Кешбэк 93 балла
    STI28N60M2MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
    632Кешбэк 94 балла
    STW6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A TO247
    649Кешбэк 97 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП