Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTE491T
NTE491T

NTE491T

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE491T
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237Все характеристики

Минимальная цена NTE491T при покупке от 1 шт 1226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE491T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE491T

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    310mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +15V, -300mV
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-237
  • Корпус
    TO-237AA

Техническая документация

 NTE491T.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 4 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 226 ₽
  • 3
    1 102 ₽
  • 10
    975 ₽
  • 25
    875 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE491T
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237Все характеристики

Минимальная цена NTE491T при покупке от 1 шт 1226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE491T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE491T

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    310mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +15V, -300mV
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-237
  • Корпус
    TO-237AA

Техническая документация

 NTE491T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
    100 719Кешбэк 15 107 баллов
    TW015N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
    11 001Кешбэк 1 650 баллов
    HUF75925P3N-CHANNEL POWER MOSFET
    225Кешбэк 33 балла
    SQJ415EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
    142Кешбэк 21 балл
    PJA3415AE_R1_00001SOT-23, MOSFET
    78Кешбэк 11 баллов
    MCH3322-EBM-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    26Кешбэк 3 балла
    SISS22DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
    356Кешбэк 53 балла
    IPU60R3K4CEAKMA1CONSUMER
    35Кешбэк 5 баллов
    NTPF095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 449Кешбэк 217 баллов
    NTP082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    1 167Кешбэк 175 баллов
    IXFN170N25X3MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
    5 480Кешбэк 822 балла
    2SK2736-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    310Кешбэк 46 баллов
    FDB0690N1507LMOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
    1 185Кешбэк 177 баллов
    SSM3K44MFV,L3FMOSFET N-CH 30V 100MA VESM
    39Кешбэк 5 баллов
    IPP65R115CFD7AAKSA1MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3
    908Кешбэк 136 баллов
    BSM300C12P3E201SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
    100 638Кешбэк 15 095 баллов
    NTP067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    917Кешбэк 137 баллов
    RRL025P03FRATRMOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
    137Кешбэк 20 баллов
    FCPF190N65S3R0LMOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3
    266Кешбэк 39 баллов
    SUD50P06-15-BE3MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
    622Кешбэк 93 балла
    SPP03N60S5XKSA1LOW POWER_LEGACY
    137Кешбэк 20 баллов
    CSD16415Q5TMOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
    751Кешбэк 112 баллов
    DMN6069SFGQ-7MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
    209Кешбэк 31 балл
    SQJ411EP-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
    345Кешбэк 51 балл
    SQM30010EL_GE3MOSFET N-CH 30V 120A TO263
    262Кешбэк 39 баллов
    IPP80R450P7XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
    447Кешбэк 67 баллов
    PJE8428_R1_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    70Кешбэк 10 баллов
    IRL40T209ATMA1MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
    564Кешбэк 84 балла
    NTMFS6H848NLT1GMOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
    275Кешбэк 41 балл
    FS10ASJ-06F-T13#X3N-CHANNEL POWER MOSFET
    260Кешбэк 39 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП