Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTH4L022N120M3S
  • В избранное
  • В сравнение
NTH4L022N120M3S

NTH4L022N120M3S

NTH4L022N120M3S
;
NTH4L022N120M3S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTH4L022N120M3S
  • Описание:
    SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200VВсе характеристики

Минимальная цена NTH4L022N120M3S при покупке от 1 шт 2899.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTH4L022N120M3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTH4L022N120M3S

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: NTH4L022N120M3S
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: SIC MOSFET
      • Объемная единица: TO247-4L
      • Сопротивление при открытом канале (Rds(on)): 22 МОм
      • Номинальное напряжение (Vds): 1200 В
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение
      • Низкое сопротивление при открытом канале
      • Устойчивость к перегреву
      • Высокая скорость переключения
      • Малый размер
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
      • Необходимость использования специализированного оборудования для монтажа
    • Общее назначение:
      • Использование в силовых электрониках
      • Применение в инверторах
      • Работа в системах управления двигателем
      • Использование в солнечных панелях и других источниках возобновляемой энергии
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы управления двигателем
      • Инверторы для солнечных панелей
      • Системы хранения энергии
      • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики NTH4L022N120M3S

  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    68A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 40A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.4V @ 20mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    151 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3175 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    352W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 NTH4L022N120M3S.pdf
pdf. 0 kb
  • 2077 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 899 ₽
  • 10
    2 144 ₽
  • 120
    1 960 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTH4L022N120M3S
  • Описание:
    SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200VВсе характеристики

Минимальная цена NTH4L022N120M3S при покупке от 1 шт 2899.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTH4L022N120M3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTH4L022N120M3S

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: NTH4L022N120M3S
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: SIC MOSFET
      • Объемная единица: TO247-4L
      • Сопротивление при открытом канале (Rds(on)): 22 МОм
      • Номинальное напряжение (Vds): 1200 В
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение
      • Низкое сопротивление при открытом канале
      • Устойчивость к перегреву
      • Высокая скорость переключения
      • Малый размер
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
      • Необходимость использования специализированного оборудования для монтажа
    • Общее назначение:
      • Использование в силовых электрониках
      • Применение в инверторах
      • Работа в системах управления двигателем
      • Использование в солнечных панелях и других источниках возобновляемой энергии
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы управления двигателем
      • Инверторы для солнечных панелей
      • Системы хранения энергии
      • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики NTH4L022N120M3S

  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    68A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 40A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.4V @ 20mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    151 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3175 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    352W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 NTH4L022N120M3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    NVMYS3D5N04CTWGMOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
    350Кешбэк 52 балла
    STDV3055L104T4GMOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    NTMT095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 584Кешбэк 237 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NTLJS17D0P03P8ZTAGMOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
    172Кешбэк 25 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    845Кешбэк 126 баллов
    NVMYS4D6N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFSC0D9N04CMOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
    1 032Кешбэк 154 балла
    NTMFS5113PLT1GNFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
    561Кешбэк 84 балла
    NTMFS5H630NLT1GMOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UF3C120150B7S1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
    2 127Кешбэк 319 баллов
    NVTFS014P04M8LTAGMOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
    226Кешбэк 33 балла
    CPH3331-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    43Кешбэк 6 баллов
    NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    272Кешбэк 40 баллов
    NVMFS5C682NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    333Кешбэк 49 баллов
    NTD78N03R-001N-CHANNEL POWER MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    CPH6604-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    NTMFS5C404NT1GMOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
    1 382Кешбэк 207 баллов
    NVMFS5C682NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    226Кешбэк 33 балла
    NVTYS9D6P04M8LTWGMV8 40V LL SINGLE PCH L
    430Кешбэк 64 балла
    NTMFS022N15MCPOWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
    474Кешбэк 71 балл
    NVMFS5C670NLAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
    459Кешбэк 68 баллов
    NTMT090N65S3HFPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 201Кешбэк 180 баллов
    NTD15N06L-1GN-CHANNEL POWER MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    NVMJS1D4N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
    708Кешбэк 106 баллов
    NVMFS6H848NLT1GMOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFS5C645NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
    304Кешбэк 45 баллов
    NTD78N03R-035N-CHANNEL POWER MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    NVMTS6D0N15MCPTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR A
    1 110Кешбэк 166 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП