Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NTH4L045N065SC1
  • В избранное
  • В сравнение
NTH4L045N065SC1

NTH4L045N065SC1

NTH4L045N065SC1
;
NTH4L045N065SC1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTH4L045N065SC1
  • Описание:
    SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELВсе характеристики

Минимальная цена NTH4L045N065SC1 при покупке от 1 шт 1930.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTH4L045N065SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTH4L045N065SC1

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка NTH4L045N065SC1:
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: СИЛИКАТНЫЙ КАБИД МОСФЕТ (N-канальный)
    • Основные параметры:
      • Номинальный ток: 45 А
      • Номинальное напряжение: 650 В
      • Температурный диапазон: -40°C до +175°C
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Низкое сопротивление в conducting состоянии
      • Высокая термическая стабильность
      • Малый размер и масса
    • Минусы:
      • Высокие затраты на производство
      • Требуется специальное оборудование для работы с кремниевым карбидом
      • Возможны проблемы с отводом тепла при работе в высоких температурах
    • Общее назначение:
      • Применяются в инверторах, преобразователях напряжения, релейных блоках управления и других устройствах, требующих высокой эффективности и надежности
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильная электроника
      • Энергосберегающие системы
      • Промышленные преобразователи
      • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики NTH4L045N065SC1

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    55A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 25A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    105 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1870 pF @ 325 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    187W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 NTH4L045N065SC1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1595 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 930 ₽
  • 10
    1 480 ₽
  • 100
    1 383 ₽
  • 450
    1 381 ₽
  • 900
    1 345 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTH4L045N065SC1
  • Описание:
    SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELВсе характеристики

Минимальная цена NTH4L045N065SC1 при покупке от 1 шт 1930.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTH4L045N065SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTH4L045N065SC1

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка NTH4L045N065SC1:
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: СИЛИКАТНЫЙ КАБИД МОСФЕТ (N-канальный)
    • Основные параметры:
      • Номинальный ток: 45 А
      • Номинальное напряжение: 650 В
      • Температурный диапазон: -40°C до +175°C
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Низкое сопротивление в conducting состоянии
      • Высокая термическая стабильность
      • Малый размер и масса
    • Минусы:
      • Высокие затраты на производство
      • Требуется специальное оборудование для работы с кремниевым карбидом
      • Возможны проблемы с отводом тепла при работе в высоких температурах
    • Общее назначение:
      • Применяются в инверторах, преобразователях напряжения, релейных блоках управления и других устройствах, требующих высокой эффективности и надежности
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильная электроника
      • Энергосберегающие системы
      • Промышленные преобразователи
      • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики NTH4L045N065SC1

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    55A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 25A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    105 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1870 pF @ 325 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    187W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 NTH4L045N065SC1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMTS1D1N04CTXGT6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
    1 577Кешбэк 236 баллов
    NTHL082N65S3HFMOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
    1 605Кешбэк 240 баллов
    NTMT095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 622Кешбэк 243 балла
    NVHL160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
    1 639Кешбэк 245 баллов
    FDBL0200N100MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
    1 641Кешбэк 246 баллов
    NVMTS001N06CTXGMOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
    1 647Кешбэк 247 баллов
    NVBLS1D1N08HMOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
    1 656Кешбэк 248 баллов
    NVMFS5C404NLWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
    1 687Кешбэк 253 балла
    NVMTS0D6N04CTXGТранзистор: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
    1 691Кешбэк 253 балла
    NVHL082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
    1 698Кешбэк 254 балла
    FDBL9401-F085T6MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF
    1 713Кешбэк 256 баллов
    NTHL095N65S3HFMOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
    1 715Кешбэк 257 баллов
    NTMT064N65S3HMOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
    1 735Кешбэк 260 баллов
    UF3C170400K3SSICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
    1 736Кешбэк 260 баллов
    UF3C065080T3SMOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 757Кешбэк 263 балла
    NVMTS0D6N04CLTXGT6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
    1 761Кешбэк 264 балла
    NVMTS001N06CLTXGT6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI
    1 761Кешбэк 264 балла
    NTH4LN095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 761Кешбэк 264 балла
    NVBLS001N06CMOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
    1 794Кешбэк 269 баллов
    NTBLS0D7N06CMOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
    1 808Кешбэк 271 балл
    UF3C065080K3SMOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
    1 824Кешбэк 273 балла
    NVBLS0D5N04CTXGMOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
    1 831Кешбэк 274 балла
    NVHL080N120SC1ASICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
    1 864Кешбэк 279 баллов
    NTMTS1D6N10MCTXGSINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
    1 890Кешбэк 283 балла
    NTH4LN067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 894Кешбэк 284 балла
    NTH4L045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
    1 930Кешбэк 289 баллов
    NTBG080N120SC1SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
    1 932Кешбэк 289 баллов
    NTHL082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
    1 953Кешбэк 292 балла
    UF3C120400K3SТранзистор: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
    1 962Кешбэк 294 балла
    NTBL050N65S3HMOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
    2 042Кешбэк 306 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП