Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G
;
NTJD1155LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTJD1155LT1G при покупке от 1 шт 80.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTJD1155LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G onsemi Транзистор: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 8В
    • Максимальный ток (ID): 1.3А
    • Пакет: SOT363
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость интеграции в схемы
  • Минусы:
    • Не подходит для высоковольтных приложений (напряжение до 8В)
    • Могут быть проблемы с управлением при больших токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Управление электрическими цепями
    • Преобразование сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и зарядка устройств
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NTJD1155LT1G

Техническая документация

NTJD1155LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 30711 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    80 ₽
  • 100
    30.5 ₽
  • 1000
    20.2 ₽
  • 6000
    15.4 ₽
  • 15000
    13.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTJD1155LT1G при покупке от 1 шт 80.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTJD1155LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G onsemi Транзистор: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 8В
    • Максимальный ток (ID): 1.3А
    • Пакет: SOT363
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость интеграции в схемы
  • Минусы:
    • Не подходит для высоковольтных приложений (напряжение до 8В)
    • Могут быть проблемы с управлением при больших токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Управление электрическими цепями
    • Преобразование сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и зарядка устройств
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NTJD1155LT1G

Техническая документация

NTJD1155LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории