Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G
;
NTJD4152PT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTJD4152PT1G при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTJD4152PT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G onsemi Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 20В
    • Номинальный ток коллектора (ID(on)): 0.88А
    • Количество каналов (P-Channel): 2
    • Пакет: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе.
    • Малые потери энергии при работе.
    • Доступен в компактном пакете SOT-363.
    • Устойчив к переносу заряда.
  • Минусы:
    • Только для двухполюсных приложений.
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за небольшого числа каналов.
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения.
    • Переключение нагрузки.
    • Защита электронных схем от перегрузок.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Промышленное оборудование.
    • Маломощные электроприборы.
    • Игровые приставки и компьютеры.
Выбрано: Показать

Характеристики NTJD4152PT1G

Техническая документация

NTJD4152PT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 24487 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    78 ₽
  • 100
    30.6 ₽
  • 1000
    20 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTJD4152PT1G при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTJD4152PT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G onsemi Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 20В
    • Номинальный ток коллектора (ID(on)): 0.88А
    • Количество каналов (P-Channel): 2
    • Пакет: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе.
    • Малые потери энергии при работе.
    • Доступен в компактном пакете SOT-363.
    • Устойчив к переносу заряда.
  • Минусы:
    • Только для двухполюсных приложений.
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за небольшого числа каналов.
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения.
    • Переключение нагрузки.
    • Защита электронных схем от перегрузок.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Промышленное оборудование.
    • Маломощные электроприборы.
    • Игровые приставки и компьютеры.
Выбрано: Показать

Характеристики NTJD4152PT1G

Техническая документация

NTJD4152PT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории