Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
NTJD4158CT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G
;
NTJD4158CT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTJD4158CT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363Все характеристики

Минимальная цена NTJD4158CT1G при покупке от 1 шт 83.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTJD4158CT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G onsemi Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Рабочее напряжение: 30В (N-канальный), 20В (P-канальный)
    • Максимальная токовая способность: 1,5А (N-канальный), 1А (P-канальный)
    • Объемный коэффициент сопротивления (RDS(on)): 13 мО (N-канальный), 27 мО (P-канальный) при VGS=10В
    • Коллекторный ток: 1,5А (N-канальный), 1А (P-канальный)
    • Пакет: SOT363
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление в ON-режиме
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету SOT363
    • Стабильное электрическое сопротивление
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Уязвимость к статическому разряду
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Переключение и регулировка напряжений
    • Изоляция сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Беспроводные устройства
    • Цифровые системы управления
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики NTJD4158CT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V, 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    250mA, 880mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    33pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    270mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NTJD4158

Техническая документация

 NTJD4158CT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 12905 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    83 ₽
  • 100
    32 ₽
  • 1000
    21.3 ₽
  • 6000
    16.3 ₽
  • 15000
    14.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTJD4158CT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363Все характеристики

Минимальная цена NTJD4158CT1G при покупке от 1 шт 83.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTJD4158CT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G onsemi Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Рабочее напряжение: 30В (N-канальный), 20В (P-канальный)
    • Максимальная токовая способность: 1,5А (N-канальный), 1А (P-канальный)
    • Объемный коэффициент сопротивления (RDS(on)): 13 мО (N-канальный), 27 мО (P-канальный) при VGS=10В
    • Коллекторный ток: 1,5А (N-канальный), 1А (P-канальный)
    • Пакет: SOT363
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление в ON-режиме
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету SOT363
    • Стабильное электрическое сопротивление
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Уязвимость к статическому разряду
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Переключение и регулировка напряжений
    • Изоляция сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Беспроводные устройства
    • Цифровые системы управления
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики NTJD4158CT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V, 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    250mA, 880mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    33pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    270mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NTJD4158

Техническая документация

 NTJD4158CT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMC1029UFDB-7Транзистор
    230Кешбэк 34 балла
    DMC1016UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    230Кешбэк 34 балла
    DMC2020USD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
    230Кешбэк 34 балла
    DMC1028UFDB-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN
    230Кешбэк 34 балла
    DMC6070LND-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
    230Кешбэк 34 балла
    DMP3036SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8-SO
    230Кешбэк 34 балла
    DMP2060UFDB-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
    232Кешбэк 34 балла
    DMC4040SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
    234Кешбэк 35 баллов
    ZXMN6A11DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    235Кешбэк 35 баллов
    DMP4025LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
    237Кешбэк 35 баллов
    DMN2011UFX-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    237Кешбэк 35 баллов
    DMHC3025LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
    239Кешбэк 35 баллов
    ZXMN3F31DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
    247Кешбэк 37 баллов
    DMT3011LDT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
    250Кешбэк 37 баллов
    DMC4029SSDQ-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
    254Кешбэк 38 баллов
    DMN1250UFEL-7MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
    262Кешбэк 39 баллов
    ZXMN10A08DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
    262Кешбэк 39 баллов
    DMC4028SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
    262Кешбэк 39 баллов
    DMN4034SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
    264Кешбэк 39 баллов
    DMP4050SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
    266Кешбэк 39 баллов
    DMT3009LDT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
    268Кешбэк 40 баллов
    DMHC4035LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
    269Кешбэк 40 баллов
    DMHC3025LSDQ-13Транзистор
    269Кешбэк 40 баллов
    ZXMC3AMCTAТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
    280Кешбэк 42 балла
    ZXMN2AMCTAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
    288Кешбэк 43 балла
    DMC4015SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO
    292Кешбэк 43 балла
    ZXMC10A816N8TCТранзистор: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
    294Кешбэк 44 балла
    ZXMHC3F381N8TCТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
    296Кешбэк 44 балла
    DMTH4007SPD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
    321Кешбэк 48 баллов
    ZXMP6A17DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
    321Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП