Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NTJS3151PT2G
  • В избранное
  • В сравнение
NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G
;
NTJS3151PT2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTJS3151PT2G
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6Все характеристики

Минимальная цена NTJS3151PT2G при покупке от 1 шт 102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTJS3151PT2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G onsemi MOSFET P-CH 12В 2,7А SC88/SC70-6

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 12В
    • Номинальный ток: 2,7А
    • Пакет: SC88/SC70-6
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость в интеграции
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Необходимо наличие управляющего сигнала для включения/выключения
    • При работе в режиме импульсов могут возникать потери из-за переключения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Управление потребителями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики NTJS3151PT2G

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    850 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    625mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Base Product Number
    NTJS3151

Техническая документация

 NTJS3151PT2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2874 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    102 ₽
  • 100
    43 ₽
  • 1000
    29 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTJS3151PT2G
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6Все характеристики

Минимальная цена NTJS3151PT2G при покупке от 1 шт 102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTJS3151PT2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G onsemi MOSFET P-CH 12В 2,7А SC88/SC70-6

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 12В
    • Номинальный ток: 2,7А
    • Пакет: SC88/SC70-6
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость в интеграции
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Необходимо наличие управляющего сигнала для включения/выключения
    • При работе в режиме импульсов могут возникать потери из-за переключения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Управление потребителями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики NTJS3151PT2G

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    850 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    625mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Base Product Number
    NTJS3151

Техническая документация

 NTJS3151PT2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMFS4C35NT1GMOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
    94Кешбэк 14 баллов
    NVTR01P02LT1GMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    NTD4970NT4GMOSFET N-CH 30V 8.5A/36A DPAK
    94Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4834NT1GMOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
    94Кешбэк 14 баллов
    NVJS4405NT1GMOSFET N-CH 25V 1A SC88
    94Кешбэк 14 баллов
    NTD4979N-35GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
    96Кешбэк 14 баллов
    FDN8601MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
    96Кешбэк 14 баллов
    NTNS3166NZT5GMOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883
    96Кешбэк 14 баллов
    NTNS3A67PZT5GMOSFET P-CH 20V SOT883
    96Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4849NT1GMOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NTTFS5C454NLTAGMOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4839NHT3GMOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NVTFS5124PLWFTAGMOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
    98Кешбэк 14 баллов
    MCH6353-TL-WMOSFET P-CH 12V 6A 6MCPH
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4C10NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4985NFT3GMOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
    100Кешбэк 15 баллов
    SFT1440-EMOSFET N-CH 600V 1.5A TP
    100Кешбэк 15 баллов
    SFT1440-TL-EMOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA
    100Кешбэк 15 баллов
    ATP201-TL-HMOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
    100Кешбэк 15 баллов
    FDD8778MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    100Кешбэк 15 баллов
    FDMS8333LТранзистор: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
    100Кешбэк 15 баллов
    FDMS8020MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
    101Кешбэк 15 баллов
    FDPF5N50UTMOSFET N-CH 500V 4A TO220F
    102Кешбэк 15 баллов
    NTJS3151PT2GMOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
    102Кешбэк 15 баллов
    NTMFS4851NT1GMOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTLUS3A39PZCTAGMOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTLJS3A18PZTXGMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTLJS3A18PZTWGMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTMFS4744NT3GMOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
    104Кешбэк 15 баллов
    HUF75321D3STТранзистор: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
    104Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП