Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NTLJS4D9N03HTAG
  • В избранное
  • В сравнение
NTLJS4D9N03HTAG

NTLJS4D9N03HTAG

NTLJS4D9N03HTAG
;
NTLJS4D9N03HTAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTLJS4D9N03HTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFNВсе характеристики

Минимальная цена NTLJS4D9N03HTAG при покупке от 1 шт 277.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTLJS4D9N03HTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTLJS4D9N03HTAG

Маркировка NTLJS4D9N03HTAG:

  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип устройства: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 9.5А
  • Количество каналов: 6
  • Пакет: 6-PQFN

Основные параметры:

  • Напряжение включения (Vgs(th)): 2.5 В
  • Напряжение отключения (Vgs(off)): 10 В
  • Тепловое сопротивление (RthJA): 58°C/W

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении включения
  • Высокий ток
  • Надежность и долговечность
  • Компактный размер пакета

Минусы:

  • Высокие потери при работе на полном токе
  • Необходимо соблюдать термические требования

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями
  • Преобразование напряжений
  • Регулирование тока

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства питания
  • Инверторы
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики NTLJS4D9N03HTAG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.1mOhm @ 10A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1020 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    860mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-PQFN (2x2)
  • Корпус
    6-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NTLJS4

Техническая документация

 NTLJS4D9N03HTAG.pdf
pdf. 0 kb
  • 6850 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    277 ₽
  • 10
    175 ₽
  • 500
    91 ₽
  • 2000
    63 ₽
  • 6000
    67 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTLJS4D9N03HTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFNВсе характеристики

Минимальная цена NTLJS4D9N03HTAG при покупке от 1 шт 277.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTLJS4D9N03HTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTLJS4D9N03HTAG

Маркировка NTLJS4D9N03HTAG:

  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип устройства: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 9.5А
  • Количество каналов: 6
  • Пакет: 6-PQFN

Основные параметры:

  • Напряжение включения (Vgs(th)): 2.5 В
  • Напряжение отключения (Vgs(off)): 10 В
  • Тепловое сопротивление (RthJA): 58°C/W

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении включения
  • Высокий ток
  • Надежность и долговечность
  • Компактный размер пакета

Минусы:

  • Высокие потери при работе на полном токе
  • Необходимо соблюдать термические требования

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями
  • Преобразование напряжений
  • Регулирование тока

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства питания
  • Инверторы
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики NTLJS4D9N03HTAG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.1mOhm @ 10A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1020 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    860mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-PQFN (2x2)
  • Корпус
    6-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NTLJS4

Техническая документация

 NTLJS4D9N03HTAG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1419N-CHANNEL POWER MOSFET
    272Кешбэк 40 баллов
    2SK2045LSN-CHANNEL SILICON MOSFET
    274Кешбэк 41 балл
    NVTFS6H850NWFTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    274Кешбэк 41 балл
    NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    275Кешбэк 41 балл
    NTLJS4D9N03HTAGMOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
    277Кешбэк 41 балл
    NVTFS5C478NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
    277Кешбэк 41 балл
    FQA13N50C-F109MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
    279Кешбэк 41 балл
    NVMFS6H852NLWFT1GMOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
    279Кешбэк 41 балл
    NVMFS5C468NWFT1GMOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
    279Кешбэк 41 балл
    NVMFD6H852NLT1GMOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
    279Кешбэк 41 балл
    HUF76633P3-F085MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
    279Кешбэк 41 балл
    NVTFS6H860NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
    281Кешбэк 42 балла
    FDMC3612-L701POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
    283Кешбэк 42 балла
    NTMYS021N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
    283Кешбэк 42 балла
    NTMFS5C426NT1GMOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
    285Кешбэк 42 балла
    NVTFWS030N06CTAGMOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
    285Кешбэк 42 балла
    FCP190N60-GF102MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    289Кешбэк 43 балла
    NVMFS5C680NLWFT1GMOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
    289Кешбэк 43 балла
    NVTFS016N06CTAGMOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
    289Кешбэк 43 балла
    2SK1427N-CHANNEL POWER MOSFET
    293Кешбэк 43 балла
    2SK1447LSN-CHANNEL SILICON MOSFET
    293Кешбэк 43 балла
    NTMFS4C020NT1GMOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
    293Кешбэк 43 балла
    NTMYS8D0N04CTWGMOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
    293Кешбэк 43 балла
    NTMFS4C09NBT1GMOSFET N-CH 30V SO8FL
    293Кешбэк 43 балла
    NVMFS5C450NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
    293Кешбэк 43 балла
    NTMFS4C09NAT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
    293Кешбэк 43 балла
    NVTFS6H854NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
    294Кешбэк 44 балла
    NVMFS6H864NT1GMOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
    295Кешбэк 44 балла
    NVMFS014P04M8LT1GMV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
    298Кешбэк 44 балла
    STTFS015N10MCL-
    298Кешбэк 44 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП