Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NTMFS4C09NBT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NTMFS4C09NBT1G

NTMFS4C09NBT1G

NTMFS4C09NBT1G
;
NTMFS4C09NBT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS4C09NBT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V SO8FLВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS4C09NBT1G при покупке от 1 шт 293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS4C09NBT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS4C09NBT1G

Маркировка NTMFS4C09NBT1G, производитель ON Semiconductor, описание MOSFET N-CH 30В SO8FL

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Размеры пакета: SO8FL
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток стоячего тока
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Экономичность в использовании энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при высоких нагрузках
    • Требуется точная настройка схемы управления для предотвращения дестабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Применяются в системах питания и преобразователях
    • Используются в схемах регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
    • Питание цифровых устройств
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS4C09NBT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1252 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    760mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Base Product Number
    NTMFS4
  • 1342 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    293 ₽
  • 10
    185 ₽
  • 500
    97 ₽
  • 1500
    90 ₽
  • 9000
    85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS4C09NBT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V SO8FLВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS4C09NBT1G при покупке от 1 шт 293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS4C09NBT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS4C09NBT1G

Маркировка NTMFS4C09NBT1G, производитель ON Semiconductor, описание MOSFET N-CH 30В SO8FL

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Размеры пакета: SO8FL
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток стоячего тока
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Экономичность в использовании энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при высоких нагрузках
    • Требуется точная настройка схемы управления для предотвращения дестабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Применяются в системах питания и преобразователях
    • Используются в схемах регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
    • Питание цифровых устройств
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS4C09NBT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1252 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    760mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Base Product Number
    NTMFS4

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIHB5N80AE-GE3E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
    326Кешбэк 48 баллов
    SIR616DP-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
    328Кешбэк 49 баллов
    SIR624DP-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
    333Кешбэк 49 баллов
    SIR696DP-T1-GE3MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
    333Кешбэк 49 баллов
    SQJ454EP-T1_GE3MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
    333Кешбэк 49 баллов
    SISS12DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
    335Кешбэк 50 баллов
    SQD10950E_GE3MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
    337Кешбэк 50 баллов
    SQS415ENW-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
    337Кешбэк 50 баллов
    SQJ431EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
    351Кешбэк 52 балла
    SQJ211ELP-T1_GE3MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
    353Кешбэк 52 балла
    SIR626LDP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
    353Кешбэк 52 балла
    SIR450DP-T1-RE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
    359Кешбэк 53 балла
    SQJ140ELP-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    361Кешбэк 54 балла
    SIR122LDP-T1-RE3N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
    361Кешбэк 54 балла
    SI4090BDY-T1-GE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
    364Кешбэк 54 балла
    SQJ128ELP-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
    370Кешбэк 55 баллов
    SIR622DP-T1-RE3MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
    372Кешбэк 55 баллов
    SQD19P06-60L_GE3MOSFET P-CH 60V 20A TO252
    378Кешбэк 56 баллов
    SQD50N04-5M6L_GE3MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
    381Кешбэк 57 баллов
    SIJA22DP-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
    384Кешбэк 57 баллов
    SQ4153EY-T1_GE3MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
    391Кешбэк 58 баллов
    SQD40031EL_GE3MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
    391Кешбэк 58 баллов
    SIR188LDP-T1-RE3N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
    403Кешбэк 60 баллов
    SIHP25N60EFL-GE3MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
    406Кешбэк 60 баллов
    SQD10N30-330H_GE3MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
    410Кешбэк 61 балл
    SIHD14N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
    410Кешбэк 61 балл
    SISS26DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
    423Кешбэк 63 балла
    SISS80DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
    424Кешбэк 63 балла
    SQJ402EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    424Кешбэк 63 балла
    SQJ123ELP-T1_GE3AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
    428Кешбэк 64 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП