Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NTMFS5C426NT3G
  • В избранное
  • В сравнение
NTMFS5C426NT3G

NTMFS5C426NT3G

NTMFS5C426NT3G
;
NTMFS5C426NT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS5C426NT3G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS5C426NT3G при покупке от 1 шт 1076.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS5C426NT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS5C426NT3G

Основные параметры:

  • Тип транзистора: MOSFET N-канала
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 40 В
  • Максимальный постоянный ток стока (Id): 41 А (при Tc=25°C)
  • Максимальный импульсный ток стока (Idm): 235 А
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Низкое (точное значение зависит от Vgs, обычно указывается в даташите, например, 3.4 мОм при Vgs=10V)
  • Тип корпуса: 5DFN (Dual Flat No-Lead), компактный поверхностный монтаж
  • Производитель: onsemi

Плюсы:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) для минимизации потерь мощности и нагрева.
  • Высокий импульсный ток стока, что полезно для приложений с большими пусковыми токами или коммутацией индуктивных нагрузок.
  • Компактный корпус 5DFN, позволяющий экономить место на печатной плате.
  • Высокая эффективность переключения благодаря MOSFET-технологии.
  • Широкий диапазон рабочих температур.

Минусы:

  • Относительно невысокое максимальное напряжение сток-исток (40 В), ограничивающее применение в высоковольтных цепях.
  • Может требовать драйвера затвора для быстрой коммутации при больших токах из-за емкости затвора.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD), как и большинство MOSFET.
  • Теплоотвод может быть критичен при работе на максимальных токах из-за компактного корпуса, требующего тщательного проектирования печатной платы.

Общее назначение:

Этот MOSFET предназначен для использования в цепях коммутации мощности, где требуется низкое сопротивление открытого канала, высокая скорость переключения и способность выдерживать значительные токи. Он идеально подходит для приложений, работающих от низковольтных источников питания.

В каких устройствах применяется:

  • DC-DC преобразователи (понижающие и повышающие)
  • Синхронные выпрямители
  • Драйверы двигателей постоянного тока (например, в робототехнике, бытовой технике)
  • Управление питанием в портативных устройствах (ноутбуки, планшеты, смартфоны)
  • Системы управления светодиодным освещением (LED драйверы)
  • Управление питанием в автомобильной электронике (непосредственно не автомобильный, но для вспомогательных систем)
  • Защита от обратной полярности
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Солнечные инверторы (на низковольтной стороне)
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS5C426NT3G

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    41A (Ta), 235A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 128W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS5

Техническая документация

 NTMFS5C426NT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2615 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 076 ₽
  • 10
    718 ₽
  • 100
    515 ₽
  • 500
    429 ₽
  • 1000
    409 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS5C426NT3G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS5C426NT3G при покупке от 1 шт 1076.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS5C426NT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS5C426NT3G

Основные параметры:

  • Тип транзистора: MOSFET N-канала
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 40 В
  • Максимальный постоянный ток стока (Id): 41 А (при Tc=25°C)
  • Максимальный импульсный ток стока (Idm): 235 А
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Низкое (точное значение зависит от Vgs, обычно указывается в даташите, например, 3.4 мОм при Vgs=10V)
  • Тип корпуса: 5DFN (Dual Flat No-Lead), компактный поверхностный монтаж
  • Производитель: onsemi

Плюсы:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) для минимизации потерь мощности и нагрева.
  • Высокий импульсный ток стока, что полезно для приложений с большими пусковыми токами или коммутацией индуктивных нагрузок.
  • Компактный корпус 5DFN, позволяющий экономить место на печатной плате.
  • Высокая эффективность переключения благодаря MOSFET-технологии.
  • Широкий диапазон рабочих температур.

Минусы:

  • Относительно невысокое максимальное напряжение сток-исток (40 В), ограничивающее применение в высоковольтных цепях.
  • Может требовать драйвера затвора для быстрой коммутации при больших токах из-за емкости затвора.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD), как и большинство MOSFET.
  • Теплоотвод может быть критичен при работе на максимальных токах из-за компактного корпуса, требующего тщательного проектирования печатной платы.

Общее назначение:

Этот MOSFET предназначен для использования в цепях коммутации мощности, где требуется низкое сопротивление открытого канала, высокая скорость переключения и способность выдерживать значительные токи. Он идеально подходит для приложений, работающих от низковольтных источников питания.

В каких устройствах применяется:

  • DC-DC преобразователи (понижающие и повышающие)
  • Синхронные выпрямители
  • Драйверы двигателей постоянного тока (например, в робототехнике, бытовой технике)
  • Управление питанием в портативных устройствах (ноутбуки, планшеты, смартфоны)
  • Системы управления светодиодным освещением (LED драйверы)
  • Управление питанием в автомобильной электронике (непосредственно не автомобильный, но для вспомогательных систем)
  • Защита от обратной полярности
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Солнечные инверторы (на низковольтной стороне)
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS5C426NT3G

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    41A (Ta), 235A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 128W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS5

Техническая документация

 NTMFS5C426NT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FCH041N65EF-F155MOSFET N-CH 650V 76A TO247
    2 821Кешбэк 423 балла
    FCH041N60F-F085MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
    2 890Кешбэк 433 балла
    NTHL040N65S3HFMOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
    2 898Кешбэк 434 балла
    NVHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
    2 930Кешбэк 439 баллов
    UF3C065040B3MOSFET N-CH 650V 41A TO263
    2 957Кешбэк 443 балла
    FCH041N65F-F085MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
    3 015Кешбэк 452 балла
    NVH4L060N090SC1-
    3 090Кешбэк 463 балла
    NVHL025N65S3MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 119Кешбэк 467 баллов
    NTH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
    3 141Кешбэк 471 балл
    UF3C120080K3SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
    3 237Кешбэк 485 баллов
    UJ3C120080K3SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
    3 240Кешбэк 486 баллов
    UF3C120080K4SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
    3 240Кешбэк 486 баллов
    NTHL025N065SC1SIC MOS TO247-3L 650V
    3 263Кешбэк 489 баллов
    NTHL019N60S5FSUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
    3 323Кешбэк 498 баллов
    NTHL040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
    3 331Кешбэк 499 баллов
    FCH029N65S3-F155MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 331Кешбэк 499 баллов
    NVBGS4D1N15MCТранзистор: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
    3 349Кешбэк 502 балла
    UF3SC065040B7S650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
    3 356Кешбэк 503 балла
    NVHL027N65S3FMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 360Кешбэк 504 балла
    NTHL019N65S3HMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 385Кешбэк 507 баллов
    UF3C120080B7SSICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
    3 460Кешбэк 519 баллов
    NVBG045N065SC1SIC MOS D2PAK-7L 650V
    3 477Кешбэк 521 балл
    NVBG060N090SC1MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
    3 483Кешбэк 522 балла
    FCH085N80-F155MOSFET N-CH 800V 46A TO247
    3 502Кешбэк 525 баллов
    FCH060N80-F155MOSFET N-CH 800V 56A TO247
    3 554Кешбэк 533 балла
    NVH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
    3 574Кешбэк 536 баллов
    NTH027N65S3F-F155MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 601Кешбэк 540 баллов
    NVH4L045N065SC1SIC MOS TO247-4L 650V
    3 637Кешбэк 545 баллов
    UJ3C120070K3SТранзистор: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
    3 785Кешбэк 567 баллов
    NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
    3 845Кешбэк 576 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП