Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
NTTFD022N10C
  • В избранное
  • В сравнение
NTTFD022N10C

NTTFD022N10C

NTTFD022N10C
;
NTTFD022N10C

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTTFD022N10C
  • Описание:
    Транзистор: 100V DUAL N-CH MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена NTTFD022N10C при покупке от 1 шт 807.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTTFD022N10C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTTFD022N10C

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Рейтинг напряжения (VDS) - 100В
      • Рейтинг тока (ID) - не указан, но обычно для таких MOSFET он находится в диапазоне от нескольких ампер до десятков ампер
      • Тип - ДВУХПОРТНЫЙ НЕПРОВОДЯЩИЙ N-канальный MOSFET
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения
      • Низкое сопротивление в ON-режиме
      • Малый размер и вес
      • Устойчивость к электрическим шумам
    • Минусы:
      • Высокие затраты энергии при переключении
      • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Общее назначение:
      • Регулирование напряжения в электронных устройствах
      • Передача тока между разными цепями
      • Контроль работы других компонентов в системах
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
      • Питание электроники
      • Промышленное оборудование
      • Беспроводные устройства
      • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики NTTFD022N10C

  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta), 24A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 7.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 44µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    585pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    1.7W (Ta), 26W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    12-PowerWQFN
  • Исполнение корпуса
    12-WQFN (3.3x3.3)

Техническая документация

 NTTFD022N10C.pdf
pdf. 0 kb
  • 2288 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    807 ₽
  • 10
    532 ₽
  • 100
    375 ₽
  • 500
    342 ₽
  • 3000
    279 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTTFD022N10C
  • Описание:
    Транзистор: 100V DUAL N-CH MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена NTTFD022N10C при покупке от 1 шт 807.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTTFD022N10C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTTFD022N10C

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Рейтинг напряжения (VDS) - 100В
      • Рейтинг тока (ID) - не указан, но обычно для таких MOSFET он находится в диапазоне от нескольких ампер до десятков ампер
      • Тип - ДВУХПОРТНЫЙ НЕПРОВОДЯЩИЙ N-канальный MOSFET
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения
      • Низкое сопротивление в ON-режиме
      • Малый размер и вес
      • Устойчивость к электрическим шумам
    • Минусы:
      • Высокие затраты энергии при переключении
      • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Общее назначение:
      • Регулирование напряжения в электронных устройствах
      • Передача тока между разными цепями
      • Контроль работы других компонентов в системах
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
      • Питание электроники
      • Промышленное оборудование
      • Беспроводные устройства
      • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики NTTFD022N10C

  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta), 24A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 7.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 44µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    585pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    1.7W (Ta), 26W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    12-PowerWQFN
  • Исполнение корпуса
    12-WQFN (3.3x3.3)

Техническая документация

 NTTFD022N10C.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMFD5C478NLT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    386Кешбэк 57 баллов
    NVMFD5C478NLWFT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    388Кешбэк 58 баллов
    NVMFD5C466NWFT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    391Кешбэк 58 баллов
    NVMFD6H846NLT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    427Кешбэк 64 балла
    NVMFD5C470NWFT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    429Кешбэк 64 балла
    NVMFD5C466NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    433Кешбэк 64 балла
    NVMFD5C470NT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    441Кешбэк 66 баллов
    HUFA76407DK8T-F085MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
    471Кешбэк 70 баллов
    EFC4K110NUZTDGТранзистор: NCH 24V 25A WLCSP DUAL
    520Кешбэк 78 баллов
    NTTFD9D0N06HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
    534Кешбэк 80 баллов
    NVMFD5C462NT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    541Кешбэк 81 балл
    2SK4085LS-CB11N-CHANNEL MOSFET
    560Кешбэк 84 балла
    NVMFD5C462NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    566Кешбэк 84 балла
    NVMFD5C466NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    574Кешбэк 86 баллов
    NVMFD6H840NLWFT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    577Кешбэк 86 баллов
    NVMFD5C672NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    583Кешбэк 87 баллов
    NVMFD5C672NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    585Кешбэк 87 баллов
    NVMFD5C668NLT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    600Кешбэк 90 баллов
    NVMFD5C462NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    610Кешбэк 91 балл
    NVMFD6H840NLT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    629Кешбэк 94 балла
    2SJ653POWER MOSFET MOTOR DRIVERS
    667Кешбэк 100 баллов
    NVMFD5C668NLWFT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    716Кешбэк 107 баллов
    NVMFD5C462NWFT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    728Кешбэк 109 баллов
    NVMFD5C446NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL
    760Кешбэк 114 баллов
    NTTFD022N10CТранзистор: 100V DUAL N-CH MOSFET
    807Кешбэк 121 балл
    NVMFD5C446NWFT1GТранзистор: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
    900Кешбэк 135 баллов
    NVMFD5C446NT1GТранзистор: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
    923Кешбэк 138 баллов
    NVMFD5C650NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
    938Кешбэк 140 баллов
    FDMD8560LТранзистор: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
    941Кешбэк 141 балл
    NVMFD5C446NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL
    944Кешбэк 141 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП