Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
NTZD3152PT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G
;
NTZD3152PT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    NTZD3152PT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563Все характеристики

Минимальная цена NTZD3152PT1G при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTZD3152PT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563

  • Основные параметры:
    • Входное напряжение (VGS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET это значение находится в пределах 2-4 В
    • Рабочее напряжение (VDS): 20 В
    • Максимальный ток (ID): 430 mA
    • Пакет: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая скоростная характеристика
    • Низкий ток стока при отключенном входе
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Компактность благодаря небольшому пакету SOT563
  • Минусы:
    • Небольшой максимальный ток (430 mA) может ограничить использование в высокотоковых приложениях
    • Необходимость дополнительных компонентов для работы в некоторых приложениях
  • Общее назначение:
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение потерь энергии в цепях
    • Управление токами в различных электронных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Питание электроники
    • Автомобильные системы
    • Игровые приставки
    • Системы управления двигателем
    • Светильники с LED
Выбрано: Показать

Характеристики NTZD3152PT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    430mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900mOhm @ 430mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    175pF @ 16V
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NTZD3152

Техническая документация

 NTZD3152PT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1830 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 10
    43 ₽
  • 25
    34.5 ₽
  • 100
    24.5 ₽
  • 500
    22 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    NTZD3152PT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563Все характеристики

Минимальная цена NTZD3152PT1G при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTZD3152PT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563

  • Основные параметры:
    • Входное напряжение (VGS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET это значение находится в пределах 2-4 В
    • Рабочее напряжение (VDS): 20 В
    • Максимальный ток (ID): 430 mA
    • Пакет: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая скоростная характеристика
    • Низкий ток стока при отключенном входе
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Компактность благодаря небольшому пакету SOT563
  • Минусы:
    • Небольшой максимальный ток (430 mA) может ограничить использование в высокотоковых приложениях
    • Необходимость дополнительных компонентов для работы в некоторых приложениях
  • Общее назначение:
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение потерь энергии в цепях
    • Управление токами в различных электронных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Питание электроники
    • Автомобильные системы
    • Игровые приставки
    • Системы управления двигателем
    • Светильники с LED
Выбрано: Показать

Характеристики NTZD3152PT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    430mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900mOhm @ 430mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    175pF @ 16V
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NTZD3152

Техническая документация

 NTZD3152PT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4936CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    181Кешбэк 27 баллов
    SI7938DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    404Кешбэк 60 баллов
    SIA517DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    160Кешбэк 24 балла
    SQJ200EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
    290Кешбэк 43 балла
    SI1902CDL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
    62Кешбэк 9 баллов
    SI4925DDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
    272Кешбэк 40 баллов
    SI4532CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
    191Кешбэк 28 баллов
    SI3552DV-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    222Кешбэк 33 балла
    SI1016CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
    109Кешбэк 16 баллов
    SI4948BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    297Кешбэк 44 балла
    SI9933CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
    179Кешбэк 26 баллов
    SI3585CDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    146Кешбэк 21 балл
    SQ9945BEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    296Кешбэк 44 балла
    SI9926CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
    305Кешбэк 45 баллов
    SI5908DC-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
    360Кешбэк 54 балла
    SI5517DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
    281Кешбэк 42 балла
    2N7002DWТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
    31.5Кешбэк 4 балла
    SI1902DL-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
    96Кешбэк 14 баллов
    SI3590DV-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
    239Кешбэк 35 баллов
    SI3932DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    156Кешбэк 23 балла
    SI1034X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6
    132Кешбэк 19 баллов
    SI6968BEDQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
    252Кешбэк 37 баллов
    SI1023CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
    107Кешбэк 16 баллов
    SI3590DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
    239Кешбэк 35 баллов
    SI3900DV-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
    308Кешбэк 46 баллов
    SI3900DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4228DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
    254Кешбэк 38 баллов
    SI5515CDC-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    224Кешбэк 33 балла
    SI5513CDC-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    163Кешбэк 24 балла
    SIA527DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    150Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП