Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G
;
NTZD5110NT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTZD5110NT1G при покупке от 1 шт 69.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTZD5110NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G наsemi MOSFET:

  • Тип: MOSFET
  • Материал: Si (silicon)
  • Номинальное напряжение барьера: 60В
  • Номинальный ток: 294мА
  • Форм-фактор: SOT563

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Малый размер и легкость в установке
  • Низкий сопротивление при прохождении тока
  • Высокая частота переключения

Минусы:

  • Высокие потери при низких напряжениях
  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Необходимо соблюдать правила подключения для предотвращения повреждений

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Усиление сигналов
  • Изоляция сигналов

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Медицинских аппаратах
  • Электронных играх
  • Домашней электронике
  • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики NTZD5110NT1G

Техническая документация

NTZD5110NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 160451 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    69 ₽
  • 100
    26 ₽
  • 1000
    17.4 ₽
  • 4000
    14.3 ₽
  • 24000
    12.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTZD5110NT1G при покупке от 1 шт 69.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTZD5110NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G наsemi MOSFET:

  • Тип: MOSFET
  • Материал: Si (silicon)
  • Номинальное напряжение барьера: 60В
  • Номинальный ток: 294мА
  • Форм-фактор: SOT563

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Малый размер и легкость в установке
  • Низкий сопротивление при прохождении тока
  • Высокая частота переключения

Минусы:

  • Высокие потери при низких напряжениях
  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Необходимо соблюдать правила подключения для предотвращения повреждений

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Усиление сигналов
  • Изоляция сигналов

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Медицинских аппаратах
  • Электронных играх
  • Домашней электронике
  • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики NTZD5110NT1G

Техническая документация

NTZD5110NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории