Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NUS5530MNR2G

NUS5530MNR2G

NUS5530MNR2G
;
NUS5530MNR2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NUS5530MNR2G при покупке от 1 шт 415.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NUS5530MNR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NUS5530MNR2G

NUS5530MNR2G onsemi IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

  • Основные параметры:
    • Тип устройства: MOSFET с N-channel и PNP силовой транзистор
    • Пакет: 8-DFN (Diced Flip-Chip)
    • Рабочее напряжение: 60 В
    • Рабочный ток: 14 А
    • Диодная составляющая: 2 A, 20 V
    • Максимальная рабочая температура: 175°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость благодаря пакету 8-DFN
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
    • Требуется дополнительное охлаждение при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях и регуляторах напряжения
    • Применяется в инверторах для электроприводов
    • В составе блоков питания
    • Для управления нагрузками в автомобилях и промышленных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики NUS5530MNR2G

Техническая документация

NUS5530MNR2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 189255 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    415 ₽
  • 347
    159 ₽
  • 2000
    91 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NUS5530MNR2G при покупке от 1 шт 415.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NUS5530MNR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NUS5530MNR2G

NUS5530MNR2G onsemi IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

  • Основные параметры:
    • Тип устройства: MOSFET с N-channel и PNP силовой транзистор
    • Пакет: 8-DFN (Diced Flip-Chip)
    • Рабочее напряжение: 60 В
    • Рабочный ток: 14 А
    • Диодная составляющая: 2 A, 20 V
    • Максимальная рабочая температура: 175°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость благодаря пакету 8-DFN
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
    • Требуется дополнительное охлаждение при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях и регуляторах напряжения
    • Применяется в инверторах для электроприводов
    • В составе блоков питания
    • Для управления нагрузками в автомобилях и промышленных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики NUS5530MNR2G

Техническая документация

NUS5530MNR2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории