NVBG045N065SC1

Основные параметры:

• Марка: NVBG045N065SC1
• Производитель: ON Semiconductor
• Тип: SIC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
• Объемный корпус: D2PAK-7L
• Номинальное напряжение: 650В
• Размеры: 7.3 x 7.3 мм

Плюсы:

• Высокая скорость переключения (до 100 кГц)
• Низкий коэффициент теплового сопротивления
• Высокая надежность и долговечность
• Энергетическая эффективность
• Уменьшение размеров и веса приборов благодаря высоким характеристикам

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
• Требуются специфические требования к проектированию и охлаждению
• Требуется время для установки и тестирования в новых приложениях

Общее назначение:

• Применяется в источниках питания высокой мощности
• Используется в системах управления двигателем
• Пригоден для трансформаторных преобразователей напряжения
• Выполняет функцию регулирования тока в электропитании устройств

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы зарядки и управления батареями
• Системы управления двигателей для электромобилей
• Промышленные преобразователи и инверторы
• Мощные источники питания для компьютеров и серверов
• Аппаратура для возобновляемых источников энергии