NVD4808NT4G

NVD4808NT4G от ON Semiconductor

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 600 В
• Номинальный ток: 8 А
• Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
• Метод управления: ток
• Технология: SiC (силиконовый кремний)
• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе в высокочастотном режиме
• Низкое значение R_DS(on)
• Устойчивость к перегреву
• Компактные размеры
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
• Требует дополнительного проектирования системы охлаждения
• Общее назначение:
• Использование в инверторах и преобразователях мощности
• В системах управления двигателем
• Для работы в условиях высокого напряжения
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания
• Промышленные преобразователи
• Системы хранения энергии
• Ревербераторы и другие устройства высокочастотного диапазона