Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NVDSH20120C

NVDSH20120C

NVDSH20120C
;
NVDSH20120C

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NVDSH20120C при покупке от 1 шт 2245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVDSH20120C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVDSH20120C

Основные параметры:

  • Маркировка: NVDSH20120C
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: СИК диод (SIC diode)
  • Напряжение рабочего диапазона: 1200В
  • Пакет: TO247-2L

Плюсы:

  • Высокое напряжение: Допустимо работать при напряжениях до 1200В.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря использованию SiC, диод обладает высокой скоростью переключения.
  • Энергоэффективность: Снижение потерь тепла за счет меньшего внутреннего сопротивления.
  • Короткий путь для электронов: Улучшенные электроconductivity свойства SiC.

Минусы:

  • Высокая стоимость: Диоды на основе SiC могут быть дороже.
  • Требуются специфические условия эксплуатации: Некоторые особенности работы могут требовать дополнительных меры безопасности.

Общее назначение:

  • Распределительные пункты и трансформаторные подстанции.
  • Промышленное оборудование и машины.
  • Автомобильная индустрия для зарядных устройств и других систем.
  • Системы управления энергоснабжением.

Применяется в:

  • Инверторах и преобразователях частоты.
  • Приводах и системах управления двигателем.
  • Системах управления нагрузкой и энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики NVDSH20120C

Техническая документация

NVDSH20120C.pdf
pdf. 0 kb
  • 405 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 245 ₽
  • 30
    1 348 ₽
  • 120
    1 151 ₽
  • 510
    1 088 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NVDSH20120C при покупке от 1 шт 2245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVDSH20120C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVDSH20120C

Основные параметры:

  • Маркировка: NVDSH20120C
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: СИК диод (SIC diode)
  • Напряжение рабочего диапазона: 1200В
  • Пакет: TO247-2L

Плюсы:

  • Высокое напряжение: Допустимо работать при напряжениях до 1200В.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря использованию SiC, диод обладает высокой скоростью переключения.
  • Энергоэффективность: Снижение потерь тепла за счет меньшего внутреннего сопротивления.
  • Короткий путь для электронов: Улучшенные электроconductivity свойства SiC.

Минусы:

  • Высокая стоимость: Диоды на основе SiC могут быть дороже.
  • Требуются специфические условия эксплуатации: Некоторые особенности работы могут требовать дополнительных меры безопасности.

Общее назначение:

  • Распределительные пункты и трансформаторные подстанции.
  • Промышленное оборудование и машины.
  • Автомобильная индустрия для зарядных устройств и других систем.
  • Системы управления энергоснабжением.

Применяется в:

  • Инверторах и преобразователях частоты.
  • Приводах и системах управления двигателем.
  • Системах управления нагрузкой и энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики NVDSH20120C

Техническая документация

NVDSH20120C.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории