Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVHL025N65S3
  • В избранное
  • В сравнение
NVHL025N65S3

NVHL025N65S3

NVHL025N65S3
;
NVHL025N65S3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVHL025N65S3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена NVHL025N65S3 при покупке от 1 шт 3001.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVHL025N65S3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVHL025N65S3

Маркировка NVHL025N65S3, производитель ON Semiconductor:

  • MOSFET N-канальный
  • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 650В
  • Предел тока (ID): 75А
  • Оболочка: TO247-3

Основные параметры:

  • VGS(th): Предел напряжения управления (минимум 2,5В)
  • RDS(on): Сопротивление при проводимости (максимум 25 мО при 25°C)
  • Qg: Заряд при переходе (максимум 15 нКл)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и легкий вес
  • Высокая эффективность при работе с высокими частотами
  • Низкое сопротивление при проводимости

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Необходимо учитывать параметры при выборе оболочки

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Драйверах для электронных устройств
  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем

Применяется в:

  • Мощных преобразователях питания
  • Инверторах для промышленного оборудования
  • Автомобильных зарядных устройствах
  • Системах управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики NVHL025N65S3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 37.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    236 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7330 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    595W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    NVHL025

Техническая документация

 NVHL025N65S3.pdf
pdf. 0 kb
  • 200 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 001 ₽
  • 30
    2 398 ₽
  • 120
    2 284 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVHL025N65S3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена NVHL025N65S3 при покупке от 1 шт 3001.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVHL025N65S3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVHL025N65S3

Маркировка NVHL025N65S3, производитель ON Semiconductor:

  • MOSFET N-канальный
  • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 650В
  • Предел тока (ID): 75А
  • Оболочка: TO247-3

Основные параметры:

  • VGS(th): Предел напряжения управления (минимум 2,5В)
  • RDS(on): Сопротивление при проводимости (максимум 25 мО при 25°C)
  • Qg: Заряд при переходе (максимум 15 нКл)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и легкий вес
  • Высокая эффективность при работе с высокими частотами
  • Низкое сопротивление при проводимости

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Необходимо учитывать параметры при выборе оболочки

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Драйверах для электронных устройств
  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем

Применяется в:

  • Мощных преобразователях питания
  • Инверторах для промышленного оборудования
  • Автомобильных зарядных устройствах
  • Системах управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики NVHL025N65S3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 37.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    236 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7330 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    595W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    NVHL025

Техническая документация

 NVHL025N65S3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    NVMYS3D5N04CTWGMOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
    350Кешбэк 52 балла
    STDV3055L104T4GMOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    NTMT095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 584Кешбэк 237 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NTLJS17D0P03P8ZTAGMOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
    172Кешбэк 25 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    845Кешбэк 126 баллов
    NVMYS4D6N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFSC0D9N04CMOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
    1 032Кешбэк 154 балла
    NTMFS5113PLT1GNFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
    561Кешбэк 84 балла
    NTMFS5H630NLT1GMOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UF3C120150B7S1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
    2 127Кешбэк 319 баллов
    NVTFS014P04M8LTAGMOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
    226Кешбэк 33 балла
    CPH3331-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    43Кешбэк 6 баллов
    NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    272Кешбэк 40 баллов
    NVMFS5C682NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    333Кешбэк 49 баллов
    NTD78N03R-001N-CHANNEL POWER MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    CPH6604-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    NTMFS5C404NT1GMOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
    1 382Кешбэк 207 баллов
    NVMFS5C682NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    226Кешбэк 33 балла
    NVTYS9D6P04M8LTWGMV8 40V LL SINGLE PCH L
    430Кешбэк 64 балла
    NTMFS022N15MCPOWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
    474Кешбэк 71 балл
    NVMFS5C670NLAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
    459Кешбэк 68 баллов
    NTMT090N65S3HFPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 201Кешбэк 180 баллов
    NTD15N06L-1GN-CHANNEL POWER MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    NVMJS1D4N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
    708Кешбэк 106 баллов
    NVMFS6H848NLT1GMOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFS5C645NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
    304Кешбэк 45 баллов
    NTD78N03R-035N-CHANNEL POWER MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    NVMTS6D0N15MCPTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR A
    1 110Кешбэк 166 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП