Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVHL080N120SC1A
  • В избранное
  • В сравнение
NVHL080N120SC1A

NVHL080N120SC1A

NVHL080N120SC1A
;
NVHL080N120SC1A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVHL080N120SC1A
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена NVHL080N120SC1A при покупке от 1 шт 1817.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVHL080N120SC1A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVHL080N120SC1A

Маркировка NVHL080N120SC1A, производитель ON Semiconductor, описание SICFET N-канальный 1200В 31А TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200В
    • Размер тока (ID): 31А
    • Тип: СICFET (Silicon Carbide FET)
    • Конструкция: N-канальный
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая удельная проводимость при высоких температурах
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии (RON)
    • Устойчивость к износу и перегреву
    • Высокая скорость переключения
    • Экономичность при работе в режимах частого переключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными ИИМ
    • Требуют специальных мер охлаждения из-за высокой тепловыделения
    • Необходимо соблюдать особые условия при выборе компонентов и системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Применяется в силовых электронных устройствах
    • Используется в системах управления двигателем
    • Пригоден для использования в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
    • Способствует уменьшению размеров и веса устройств благодаря высокой эффективности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления двигателем
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
    • Системы преобразования энергии
    • Промышленные преобразователи и инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики NVHL080N120SC1A

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110mOhm @ 20A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +25, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1670 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    178W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    NVHL080

Техническая документация

 NVHL080N120SC1A.pdf
pdf. 0 kb
  • 765 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 817 ₽
  • 30
    1 088 ₽
  • 120
    1 028 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVHL080N120SC1A
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена NVHL080N120SC1A при покупке от 1 шт 1817.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVHL080N120SC1A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVHL080N120SC1A

Маркировка NVHL080N120SC1A, производитель ON Semiconductor, описание SICFET N-канальный 1200В 31А TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200В
    • Размер тока (ID): 31А
    • Тип: СICFET (Silicon Carbide FET)
    • Конструкция: N-канальный
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая удельная проводимость при высоких температурах
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии (RON)
    • Устойчивость к износу и перегреву
    • Высокая скорость переключения
    • Экономичность при работе в режимах частого переключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными ИИМ
    • Требуют специальных мер охлаждения из-за высокой тепловыделения
    • Необходимо соблюдать особые условия при выборе компонентов и системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Применяется в силовых электронных устройствах
    • Используется в системах управления двигателем
    • Пригоден для использования в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
    • Способствует уменьшению размеров и веса устройств благодаря высокой эффективности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления двигателем
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
    • Системы преобразования энергии
    • Промышленные преобразователи и инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики NVHL080N120SC1A

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110mOhm @ 20A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +25, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1670 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    178W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    NVHL080

Техническая документация

 NVHL080N120SC1A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SUD80460E-GE3MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
    215Кешбэк 32 балла
    SIS110DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
    157Кешбэк 23 балла
    SIR882BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
    348Кешбэк 52 балла
    SIRA24DP-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
    256Кешбэк 38 баллов
    IRFR014TRPBF-BE3MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    396Кешбэк 59 баллов
    SIDR680DP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
    587Кешбэк 88 баллов
    SQJ474EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    278Кешбэк 41 балл
    SQJA64EP-T1_BE3N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    206Кешбэк 30 баллов
    SQD40P10-40L_GE3MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
    522Кешбэк 78 баллов
    SI3493BDV-T1-BE3P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    254Кешбэк 38 баллов
    SISS66DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
    380Кешбэк 57 баллов
    SQ7414CENW-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
    274Кешбэк 41 балл
    SQ2348ES-T1_GE3MOSFET N-CH 30V 8A TO236
    182Кешбэк 27 баллов
    SI2312CDS-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    100Кешбэк 15 баллов
    SISA96DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
    100Кешбэк 15 баллов
    SI2302DDS-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
    74Кешбэк 11 баллов
    SQJ476EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
    204Кешбэк 30 баллов
    SIR184DP-T1-RE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
    270Кешбэк 40 баллов
    SI2333DDS-T1-BE3P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
    109Кешбэк 16 баллов
    SQD50P08-25L_GE3MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
    641Кешбэк 96 баллов
    SQJ422EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
    398Кешбэк 59 баллов
    SISS32DN-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
    285Кешбэк 42 балла
    SQM70060EL_GE3MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
    495Кешбэк 74 балла
    SISS06DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
    274Кешбэк 41 балл
    SQJ860EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    250Кешбэк 37 баллов
    SQSA12CENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
    246Кешбэк 36 баллов
    SISA35DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
    107Кешбэк 16 баллов
    SIJ438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
    365Кешбэк 54 балла
    SI1308EDL-T1-BE3MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
    85Кешбэк 12 баллов
    SQJA46EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    291Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП