Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G
;
NVMD4N03R2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NVMD4N03R2G при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMD4N03R2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G onsemi MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на разделяющем слое (VDS(on)) — 30 В
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)) — 4 А
    • Количество каналов (N-CH)
    • Формат корпуса — SO8FL
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при проводимости
    • Малый размер и легкость из-за компактного корпуса SO8FL
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует осторожного проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применяется в преобразователях напряжения
    • Включается в системы управления двигателями
    • Используется в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания для электроники
    • Преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики NVMD4N03R2G

Техническая документация

NVMD4N03R2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2417 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    300 ₽
  • 10
    212 ₽
  • 100
    149 ₽
  • 1000
    111 ₽
  • 5000
    92 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NVMD4N03R2G при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMD4N03R2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G onsemi MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на разделяющем слое (VDS(on)) — 30 В
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)) — 4 А
    • Количество каналов (N-CH)
    • Формат корпуса — SO8FL
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при проводимости
    • Малый размер и легкость из-за компактного корпуса SO8FL
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует осторожного проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применяется в преобразователях напряжения
    • Включается в системы управления двигателями
    • Используется в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания для электроники
    • Преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики NVMD4N03R2G

Техническая документация

NVMD4N03R2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории