Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
NVMFD5C446NLWFT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVMFD5C446NLWFT1G

NVMFD5C446NLWFT1G

NVMFD5C446NLWFT1G
;
NVMFD5C446NLWFT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFD5C446NLWFT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FLВсе характеристики

Минимальная цена NVMFD5C446NLWFT1G при покупке от 1 шт 944.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD5C446NLWFT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFD5C446NLWFT1G

Основные параметры:

  • Маркировка: NVMFD5C446NLWFT1G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: MOSFET (MOSFET 2N-CH)
  • Номинальное напряжение: 40В
  • Размеры тока: 145А
  • Сопротивление: S08FL

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к шумам и помехам
  • Малый размер и легкость в установке

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию и охлаждению
  • Уязвимость к электрическим шокам и перенапряжениям

Общее назначение:

МOSFET NVMFD5C446NLWFT1G предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокий уровень проводимости и управляемости тока. Он широко применяется в:

  • Автомобильной промышленности
  • Питательных цепях
  • Электроприводах
  • Инверторах
  • Мощных преобразователях энергии

Применение:

Этот тип MOSFET используется в устройствах, требующих высокой мощности и точности управления током. Он подходит для применения в:

  • Автомобильных системах управления двигателем
  • Промышленных преобразователях питания
  • Энергосберегающих решениях
  • Мощных системах управления приводами
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD5C446NLWFT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    25A (Ta), 145A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.65mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3170pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD5

Техническая документация

 NVMFD5C446NLWFT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 510 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    944 ₽
  • 10
    636 ₽
  • 100
    528 ₽
  • 500
    517 ₽
  • 1500
    430 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFD5C446NLWFT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FLВсе характеристики

Минимальная цена NVMFD5C446NLWFT1G при покупке от 1 шт 944.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD5C446NLWFT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFD5C446NLWFT1G

Основные параметры:

  • Маркировка: NVMFD5C446NLWFT1G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: MOSFET (MOSFET 2N-CH)
  • Номинальное напряжение: 40В
  • Размеры тока: 145А
  • Сопротивление: S08FL

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к шумам и помехам
  • Малый размер и легкость в установке

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию и охлаждению
  • Уязвимость к электрическим шокам и перенапряжениям

Общее назначение:

МOSFET NVMFD5C446NLWFT1G предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокий уровень проводимости и управляемости тока. Он широко применяется в:

  • Автомобильной промышленности
  • Питательных цепях
  • Электроприводах
  • Инверторах
  • Мощных преобразователях энергии

Применение:

Этот тип MOSFET используется в устройствах, требующих высокой мощности и точности управления током. Он подходит для применения в:

  • Автомобильных системах управления двигателем
  • Промышленных преобразователях питания
  • Энергосберегающих решениях
  • Мощных системах управления приводами
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD5C446NLWFT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    25A (Ta), 145A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.65mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3170pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD5

Техническая документация

 NVMFD5C446NLWFT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMFD5C478NLT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    386Кешбэк 57 баллов
    NVMFD5C478NLWFT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    388Кешбэк 58 баллов
    NVMFD5C466NWFT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    391Кешбэк 58 баллов
    NVMFD6H846NLT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    427Кешбэк 64 балла
    NVMFD5C470NWFT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    429Кешбэк 64 балла
    NVMFD5C466NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    433Кешбэк 64 балла
    NVMFD5C470NT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    441Кешбэк 66 баллов
    HUFA76407DK8T-F085MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
    471Кешбэк 70 баллов
    EFC4K110NUZTDGТранзистор: NCH 24V 25A WLCSP DUAL
    520Кешбэк 78 баллов
    NTTFD9D0N06HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
    534Кешбэк 80 баллов
    NVMFD5C462NT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    541Кешбэк 81 балл
    2SK4085LS-CB11N-CHANNEL MOSFET
    560Кешбэк 84 балла
    NVMFD5C462NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    566Кешбэк 84 балла
    NVMFD5C466NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    574Кешбэк 86 баллов
    NVMFD6H840NLWFT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    577Кешбэк 86 баллов
    NVMFD5C672NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    583Кешбэк 87 баллов
    NVMFD5C672NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    585Кешбэк 87 баллов
    NVMFD5C668NLT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    600Кешбэк 90 баллов
    NVMFD5C462NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    610Кешбэк 91 балл
    NVMFD6H840NLT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    629Кешбэк 94 балла
    2SJ653POWER MOSFET MOTOR DRIVERS
    667Кешбэк 100 баллов
    NVMFD5C668NLWFT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    716Кешбэк 107 баллов
    NVMFD5C462NWFT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    728Кешбэк 109 баллов
    NVMFD5C446NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL
    760Кешбэк 114 баллов
    NTTFD022N10CТранзистор: 100V DUAL N-CH MOSFET
    807Кешбэк 121 балл
    NVMFD5C446NWFT1GТранзистор: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
    900Кешбэк 135 баллов
    NVMFD5C446NT1GТранзистор: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
    923Кешбэк 138 баллов
    NVMFD5C650NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
    938Кешбэк 140 баллов
    FDMD8560LТранзистор: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
    941Кешбэк 141 балл
    NVMFD5C446NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL
    944Кешбэк 141 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП