Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
NVMFD5C470NLT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVMFD5C470NLT1G

NVMFD5C470NLT1G

NVMFD5C470NLT1G
;
NVMFD5C470NLT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFD5C470NLT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FLВсе характеристики

Минимальная цена NVMFD5C470NLT1G при покупке от 1 шт 265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD5C470NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFD5C470NLT1G

Основные параметры:

  • Марка: NVMFD5C470NLT1G

  • Производитель: ON Semiconductor

  • Тип: MOSFET (MOS Field-Effect Transistor)

  • Количество каналов: 2N-CH

  • Номинальное напряжение: 40В

  • Номинальный ток: 36А

  • Размеры корпуса: S08FL

Плюсы:

  • Высокая надежность

  • Высокий коэффициент передачи

  • Малый динамический ток утечки

  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям

  • Малый размер и легкость интеграции в электронные схемы

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами

  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжений

Общее назначение:

  • Использование в высокочастотных схемах

  • Для управления мощными нагрузками в различных приложениях

  • В автомобильной электронике

  • В промышленной автоматизации

  • Для управления моторами в бытовой технике

Применение:

  • В системах питания

  • В преобразователях напряжения

  • В инверторах

  • В контроллерах двигателей

  • В системах управления

Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD5C470NLT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta), 36A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 20µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3W (Ta), 24W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD5

Техническая документация

 NVMFD5C470NLT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1075 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    265 ₽
  • 10
    211 ₽
  • 100
    175 ₽
  • 1500
    140 ₽
  • 4500
    135 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFD5C470NLT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FLВсе характеристики

Минимальная цена NVMFD5C470NLT1G при покупке от 1 шт 265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD5C470NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFD5C470NLT1G

Основные параметры:

  • Марка: NVMFD5C470NLT1G

  • Производитель: ON Semiconductor

  • Тип: MOSFET (MOS Field-Effect Transistor)

  • Количество каналов: 2N-CH

  • Номинальное напряжение: 40В

  • Номинальный ток: 36А

  • Размеры корпуса: S08FL

Плюсы:

  • Высокая надежность

  • Высокий коэффициент передачи

  • Малый динамический ток утечки

  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям

  • Малый размер и легкость интеграции в электронные схемы

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами

  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжений

Общее назначение:

  • Использование в высокочастотных схемах

  • Для управления мощными нагрузками в различных приложениях

  • В автомобильной электронике

  • В промышленной автоматизации

  • Для управления моторами в бытовой технике

Применение:

  • В системах питания

  • В преобразователях напряжения

  • В инверторах

  • В контроллерах двигателей

  • В системах управления

Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD5C470NLT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta), 36A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 20µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3W (Ta), 24W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD5

Техническая документация

 NVMFD5C470NLT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MTB6N60ET4Транзистор: 6A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL
    191Кешбэк 28 баллов
    MPIC2117PТранзистор: BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
    191Кешбэк 28 баллов
    FDS9958-F085MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
    201Кешбэк 30 баллов
    2SK2631-TL-E-ONPOWER MOSFET
    238Кешбэк 35 баллов
    NVMFD5C674NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL
    238Кешбэк 35 баллов
    NTMFD5C674NLT1GТранзистор: T6 60V LL S08FL DS
    246Кешбэк 36 баллов
    NTLUD4C26NTAGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN
    258Кешбэк 38 баллов
    NVMFD5C674NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL
    258Кешбэк 38 баллов
    2SK3704-CB11N-CHANNEL MOSFET
    261Кешбэк 39 баллов
    EFC4K105NUZTDGТранзистор: NCH 22V 25A WLCSP DUAL
    263Кешбэк 39 баллов
    2SK3704-1EX2SK3704 - N-CHANNEL SILICON MOSF
    263Кешбэк 39 баллов
    NVMFD5C470NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
    265Кешбэк 39 баллов
    NVMFD5C680NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
    307Кешбэк 46 баллов
    NVMFD5C470NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
    338Кешбэк 50 баллов
    NTTFD4D0N04HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
    368Кешбэк 55 баллов
    NVMFD5C466NT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    370Кешбэк 55 баллов
    NVMFD6H846NLWFT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    372Кешбэк 55 баллов
    NTMFD6H846NLT1GТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V,
    377Кешбэк 56 баллов
    NVMFD5C478NLT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    399Кешбэк 59 баллов
    NVMFD5C478NLWFT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    401Кешбэк 60 баллов
    NVMFD5C466NWFT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    405Кешбэк 60 баллов
    NVMFD6H846NLT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    442Кешбэк 66 баллов
    NVMFD5C470NWFT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    444Кешбэк 66 баллов
    NVMFD5C466NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    448Кешбэк 67 баллов
    NVMFD5C470NT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    456Кешбэк 68 баллов
    HUFA76407DK8T-F085MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
    488Кешбэк 73 балла
    EFC4K110NUZTDGТранзистор: NCH 24V 25A WLCSP DUAL
    539Кешбэк 80 баллов
    NTTFD9D0N06HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
    552Кешбэк 82 балла
    NVMFD5C462NT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    560Кешбэк 84 балла
    2SK4085LS-CB11N-CHANNEL MOSFET
    580Кешбэк 87 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП