Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
NVMFD5C650NLT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G
;
NVMFD5C650NLT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFD5C650NLT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FLВсе характеристики

Минимальная цена NVMFD5C650NLT1G при покупке от 1 шт 908.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD5C650NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFD5C650NLT1G

Транзистор: MOSFET 2N-Ч 60В 111А S08FL (маркировка NVMFD5C650NLT1G, производитель ON Semiconductor)

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 111А
    • Объемный коэффициент: S08FL
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Минимальное влияние температуры на характеристики
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
    • Требуются дополнительные компоненты для защиты от импульсных воздействий
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электропитание и преобразование напряжений
    • Мощные источники питания
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD5C650NLT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Ta), 111A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 98µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2546pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3.5W (Ta), 125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD5

Техническая документация

 NVMFD5C650NLT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1460 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    908 ₽
  • 10
    647 ₽
  • 100
    494 ₽
  • 500
    480 ₽
  • 1500
    398 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFD5C650NLT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FLВсе характеристики

Минимальная цена NVMFD5C650NLT1G при покупке от 1 шт 908.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD5C650NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFD5C650NLT1G

Транзистор: MOSFET 2N-Ч 60В 111А S08FL (маркировка NVMFD5C650NLT1G, производитель ON Semiconductor)

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 111А
    • Объемный коэффициент: S08FL
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Минимальное влияние температуры на характеристики
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
    • Требуются дополнительные компоненты для защиты от импульсных воздействий
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электропитание и преобразование напряжений
    • Мощные источники питания
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD5C650NLT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Ta), 111A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 98µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2546pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3.5W (Ta), 125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD5

Техническая документация

 NVMFD5C650NLT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TSM500P02DCQ RFGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN
    171Кешбэк 25 баллов
    TSM3911DCX6 RFGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26
    191Кешбэк 28 баллов
    TSM4953DCS RLGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 4.9A 8SOP
    230Кешбэк 34 балла
    TSM8568CS RLGТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP
    237Кешбэк 35 баллов
    TSM250N02DCQ RFGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
    154Кешбэк 23 балла
    TSM2537CQ RFGТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
    171Кешбэк 25 баллов
    TSM680P06DPQ56 RLGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
    283Кешбэк 42 балла
    TSM2N7002AKDCU6 RFGТранзистор: 60V, 0.22A, DUAL N-CHANNEL POWER
    66Кешбэк 9 баллов
    TSM4946DCS RLGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 4.5A 8SOP
    228Кешбэк 34 балла
    TSM6502CR RLGТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
    289Кешбэк 43 балла
    TSM300NB06DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
    211Кешбэк 31 балл
    TSM110NB04DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    162Кешбэк 24 балла
    TSM4925DCS RLGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 7.1A 8SOP
    355Кешбэк 53 балла
    TQM150NB04DCR RLGТранзистор: AUTOMOTIVE 40V MOSFET, 15M, DUAL
    349Кешбэк 52 балла
    TSM6968SDCA RVGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
    230Кешбэк 34 балла
    TSM8588CS RLGТранзистор: COMPLEMENTARY N & P-CHANNEL POWE
    186Кешбэк 27 баллов
    TSM6963SDCA RVGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SSM6N37FU,LFТранзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
    61Кешбэк 9 баллов
    SSM6L40TU,LFТранзистор: X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
    112Кешбэк 16 баллов
    SSM6L56FE,LMТранзистор: SMALL-SIGNAL MOSFET 2 IN 1 NCH +
    59Кешбэк 8 баллов
    SSM6P15FU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
    61Кешбэк 9 баллов
    SSM6N67NU,LFТранзистор: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I
    112Кешбэк 16 баллов
    SSM6N44FU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
    59Кешбэк 8 баллов
    SSM6N357R,LFТранзистор: SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
    121Кешбэк 18 баллов
    SSM6L36TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH
    94Кешбэк 14 баллов
    SSM6N62TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
    123Кешбэк 18 баллов
    SSM6N36TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
    94Кешбэк 14 баллов
    SSM6N16FE,L3FТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
    59Кешбэк 8 баллов
    SSM6P35AFU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
    53Кешбэк 7 баллов
    SSM6L820R,LXHFТранзистор: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH + P-CH LO
    175Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП