Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
NVMFD6H840NLWFT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVMFD6H840NLWFT1G

NVMFD6H840NLWFT1G

NVMFD6H840NLWFT1G
;
NVMFD6H840NLWFT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFD6H840NLWFT1G
  • Описание:
    Транзистор: T8 80V LL SO8FL DSВсе характеристики

Минимальная цена NVMFD6H840NLWFT1G при покупке от 1 шт 552.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD6H840NLWFT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFD6H840NLWFT1G

Основные параметры:

  • Марка: NVMFD6H840NLWFT1G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: Транзистор
  • Номинальное напряжение: 80В
  • Объемная единица: T8
  • Количество каналов: 2
  • Тип каскада: N-канальный полевик
  • Количество выводов: 8
  • Обозначение пакета: SO8FL DS

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Устойчивость к перенапряжениям, что обеспечивает защиту электронных схем.
  • Малый размер и легкий вес, что удобно для компактного дизайна устройств.
  • Высокая скорость переключения, что важно для цифровых приложений.

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с традиционными транзисторами.
  • Относительно высокое энергопотребление при работе в режиме торможения.
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения и тока в различных электронных устройствах.
  • Использование в цифровых и аналоговых схемах.
  • Защита электронных схем от перенапряжений.
  • Высокочастотное управление вverter-системами.

Применение:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Питание и регулирование напряжения в бытовой технике.
  • Инверторные системы питания.
  • Цифровые блоки управления.
  • Промышленные системы автоматизации.
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD6H840NLWFT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Ta), 74A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.9mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 96µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2002pF @ 40V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD6

Техническая документация

 NVMFD6H840NLWFT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 665 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    552 ₽
  • 10
    417 ₽
  • 100
    291 ₽
  • 500
    252 ₽
  • 1000
    230 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFD6H840NLWFT1G
  • Описание:
    Транзистор: T8 80V LL SO8FL DSВсе характеристики

Минимальная цена NVMFD6H840NLWFT1G при покупке от 1 шт 552.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD6H840NLWFT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFD6H840NLWFT1G

Основные параметры:

  • Марка: NVMFD6H840NLWFT1G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: Транзистор
  • Номинальное напряжение: 80В
  • Объемная единица: T8
  • Количество каналов: 2
  • Тип каскада: N-канальный полевик
  • Количество выводов: 8
  • Обозначение пакета: SO8FL DS

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Устойчивость к перенапряжениям, что обеспечивает защиту электронных схем.
  • Малый размер и легкий вес, что удобно для компактного дизайна устройств.
  • Высокая скорость переключения, что важно для цифровых приложений.

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с традиционными транзисторами.
  • Относительно высокое энергопотребление при работе в режиме торможения.
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения и тока в различных электронных устройствах.
  • Использование в цифровых и аналоговых схемах.
  • Защита электронных схем от перенапряжений.
  • Высокочастотное управление вverter-системами.

Применение:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Питание и регулирование напряжения в бытовой технике.
  • Инверторные системы питания.
  • Цифровые блоки управления.
  • Промышленные системы автоматизации.
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD6H840NLWFT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Ta), 74A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.9mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 96µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2002pF @ 40V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD6

Техническая документация

 NVMFD6H840NLWFT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HUF75842S3Транзистор: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    RFD20N03SM9AR4770Транзистор: 20A, 30V, 0.025 OHM, N-CHANNEL
    230Кешбэк 34 балла
    SI6953DQТранзистор: P-CHANNEL MOSFET
    74Кешбэк 11 баллов
    SI4920DYТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    102Кешбэк 15 баллов
    FQPF6N50C3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
    193Кешбэк 28 баллов
    FCH041N65FN-CHANNEL, MOSFET
    1 756Кешбэк 263 балла
    FDB3652SB82059Транзистор: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
    547Кешбэк 82 балла
    FCH041N65EFN-CHANNEL, MOSFET
    1 756Кешбэк 263 балла
    CMLDM3757 TR PBFREEТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
    150Кешбэк 22 балла
    CMKDM8005 TR PBFREEТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT363
    148Кешбэк 22 балла
    CWDM305ND TR13 PBFREEТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
    202Кешбэк 30 баллов
    EPC2106Транзистор: GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
    493Кешбэк 73 балла
    EPC2107Транзистор: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
    526Кешбэк 78 баллов
    EPC2103Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 993Кешбэк 298 баллов
    EPC2104Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2102Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2105Транзистор: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2108Транзистор: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
    387Кешбэк 58 баллов
    EPC2101Транзистор: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
    1 993Кешбэк 298 баллов
    SQ1922AEEH-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
    128Кешбэк 19 баллов
    SI1553CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
    70Кешбэк 10 баллов
    SQ3989EV-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
    137Кешбэк 20 баллов
    SQJ560EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
    376Кешбэк 56 баллов
    SQJQ910EL-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
    628Кешбэк 94 балла
    SQ4949EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
    432Кешбэк 64 балла
    SI1539CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT363
    100Кешбэк 15 баллов
    SQJ504EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
    398Кешбэк 59 баллов
    SI1902CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
    87Кешбэк 13 баллов
    SQJ952EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    311Кешбэк 46 баллов
    SQ1912AEEH-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
    137Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП