Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NVMFS5C426NWFAFT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVMFS5C426NWFAFT1G

NVMFS5C426NWFAFT1G

NVMFS5C426NWFAFT1G
;
NVMFS5C426NWFAFT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFS5C426NWFAFT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NVMFS5C426NWFAFT1G при покупке от 1 шт 748.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFS5C426NWFAFT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFS5C426NWFAFT1G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Марка: NVMFS5C426NWFAFT1G
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: N-канальный MOSFET
      • Напряжение включения: 40В
      • Рейтинг тока: 41А (в режиме токопроводности) / 235А (в режиме импульсного тока)
      • Пакет: 5DFN
    • Плюсы:
      • Высокий токовый рейтинг
      • Устойчивость к напряжению включения
      • Компактный размер пакета (5DFN)
      • Эффективность работы при высоких температурах
    • Минусы:
      • Требует дополнительной термической защиты при использовании в больших токовых нагрузках
      • Могут возникать проблемы с шумами при работе в режиме импульсов
    • Общее назначение:
      • Использование в электронных устройствах, требующих высокоточной регулировки тока
      • Применение в системах питания и управления
      • Работа в условиях высоких температур и напряжений
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильная электроника
      • Питание серверных систем
      • Питание мобильных устройств
      • Инверторы и преобразователи напряжения
      • Системы управления приводами
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFS5C426NWFAFT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    41A (Ta), 235A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 128W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NVMFS5

Техническая документация

 NVMFS5C426NWFAFT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1685 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    748 ₽
  • 10
    491 ₽
  • 100
    345 ₽
  • 500
    313 ₽
  • 1000
    264 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFS5C426NWFAFT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NVMFS5C426NWFAFT1G при покупке от 1 шт 748.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFS5C426NWFAFT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFS5C426NWFAFT1G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Марка: NVMFS5C426NWFAFT1G
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: N-канальный MOSFET
      • Напряжение включения: 40В
      • Рейтинг тока: 41А (в режиме токопроводности) / 235А (в режиме импульсного тока)
      • Пакет: 5DFN
    • Плюсы:
      • Высокий токовый рейтинг
      • Устойчивость к напряжению включения
      • Компактный размер пакета (5DFN)
      • Эффективность работы при высоких температурах
    • Минусы:
      • Требует дополнительной термической защиты при использовании в больших токовых нагрузках
      • Могут возникать проблемы с шумами при работе в режиме импульсов
    • Общее назначение:
      • Использование в электронных устройствах, требующих высокоточной регулировки тока
      • Применение в системах питания и управления
      • Работа в условиях высоких температур и напряжений
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильная электроника
      • Питание серверных систем
      • Питание мобильных устройств
      • Инверторы и преобразователи напряжения
      • Системы управления приводами
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFS5C426NWFAFT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    41A (Ta), 235A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 128W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NVMFS5

Техническая документация

 NVMFS5C426NWFAFT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMFS5C645NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
    695Кешбэк 104 балла
    NTMTS0D7N04CLTXGMOSFET N-CH 40V 67A/433A 8DFNW
    696Кешбэк 104 балла
    NTMFS5C430NT3GMOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
    700Кешбэк 105 баллов
    NTMYS2D2N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
    702Кешбэк 105 баллов
    FDMS10C4D2NMOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
    702Кешбэк 105 баллов
    NVMFS5C426NAFT1GMOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
    702Кешбэк 105 баллов
    NVD5C632NLT4GMOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK
    710Кешбэк 106 баллов
    FQA11N90C-F109MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
    712Кешбэк 106 баллов
    NVMFS5113PLWFT1GMOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
    713Кешбэк 106 баллов
    FDP045N10A-F102MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
    717Кешбэк 107 баллов
    FCPF360N65S3R0L-F154POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    717Кешбэк 107 баллов
    NVMFS6H824NLT1GMOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
    731Кешбэк 109 баллов
    NTP190N65S3HFMOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
    734Кешбэк 110 баллов
    NTMFS5H600NLT3GMOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
    736Кешбэк 110 баллов
    NTMFS5H600NLT1G-IRH1T8 60V LOW COSS
    736Кешбэк 110 баллов
    FCPF380N65FL1-F154MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3
    738Кешбэк 110 баллов
    NVMFWS0D5N04XMT1G40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
    742Кешбэк 111 баллов
    FQB47P06TM-AM002MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
    748Кешбэк 112 баллов
    NVMFS5C426NWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
    748Кешбэк 112 баллов
    NTBGS2D5N06CPOWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
    757Кешбэк 113 баллов
    NTBLS4D0N15MCMOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
    761Кешбэк 114 баллов
    FDMS86569-F085MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
    765Кешбэк 114 баллов
    NVMFS5C420NLWFT1GPOWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
    767Кешбэк 115 баллов
    FCB260N65S3MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
    769Кешбэк 115 баллов
    NVMFS6H818NLT1GMOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
    782Кешбэк 117 баллов
    FDP075N15A-F102MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
    782Кешбэк 117 баллов
    NTPF250N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    782Кешбэк 117 баллов
    NTMFS0D8N02P1ET1GMOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
    782Кешбэк 117 баллов
    NTMTS0D6N04CLTXGMOSFET N-CH 40V 554.5A
    786Кешбэк 117 баллов
    NTB011N15MCNTB011N15MC
    793Кешбэк 118 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП