Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NVMFS6H800NWFT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVMFS6H800NWFT1G

NVMFS6H800NWFT1G

NVMFS6H800NWFT1G
;
NVMFS6H800NWFT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFS6H800NWFT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NVMFS6H800NWFT1G при покупке от 1 шт 897.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFS6H800NWFT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFS6H800NWFT1G

Маркировка NVMFS6H800NWFT1G, производитель ON Semiconductor

  • Основные параметры:
    • N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 80 В
    • Максимальный ток при VDS = 10 В: 28 А
    • Максимальный ток при VDS = 4 В: 203 А
    • Пакет: 5DFN
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме нахождения в "открытом" состоянии (низкий RDson)
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Компактный размер пакета (5DFN)
    • Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с более простыми решениями
    • Требуют дополнительного охлаждения для работы при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления токами
    • Применяются в системах питания, преобразователях энергии, инверторах
    • Подходят для применения в автомобильной электронике, промышленном оборудовании, бытовой технике
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Промышленные преобразователи и регуляторы напряжения
    • Бытовые приборы с высокими потребностями в мощности
    • Системы управления двигателем
    • Мобильные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFS6H800NWFT1G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Ta), 203A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 330µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5530 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NVMFS6

Техническая документация

 NVMFS6H800NWFT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 402 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    897 ₽
  • 10
    685 ₽
  • 100
    528 ₽
  • 500
    471 ₽
  • 1500
    385 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFS6H800NWFT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NVMFS6H800NWFT1G при покупке от 1 шт 897.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFS6H800NWFT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFS6H800NWFT1G

Маркировка NVMFS6H800NWFT1G, производитель ON Semiconductor

  • Основные параметры:
    • N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 80 В
    • Максимальный ток при VDS = 10 В: 28 А
    • Максимальный ток при VDS = 4 В: 203 А
    • Пакет: 5DFN
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме нахождения в "открытом" состоянии (низкий RDson)
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Компактный размер пакета (5DFN)
    • Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с более простыми решениями
    • Требуют дополнительного охлаждения для работы при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления токами
    • Применяются в системах питания, преобразователях энергии, инверторах
    • Подходят для применения в автомобильной электронике, промышленном оборудовании, бытовой технике
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Промышленные преобразователи и регуляторы напряжения
    • Бытовые приборы с высокими потребностями в мощности
    • Системы управления двигателем
    • Мобильные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFS6H800NWFT1G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Ta), 203A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 330µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5530 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NVMFS6

Техническая документация

 NVMFS6H800NWFT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDP023N08B-F102MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
    863Кешбэк 129 баллов
    NTP095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    865Кешбэк 129 баллов
    FDWS86068-F085MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
    866Кешбэк 129 баллов
    NVMFS5C612NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
    884Кешбэк 132 балла
    NTMFS08N004CMOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
    885Кешбэк 132 балла
    NVMFWS3D6N10MCLT1GPTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
    886Кешбэк 132 балла
    NTPF082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220F
    891Кешбэк 133 балла
    NVMFS6H800NWFT1GMOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
    897Кешбэк 134 балла
    FCP165N65S3MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    901Кешбэк 135 баллов
    NTMFSC4D2N10MCMOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
    903Кешбэк 135 баллов
    FDBL86363-F085MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
    918Кешбэк 137 баллов
    NTMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    922Кешбэк 138 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    924Кешбэк 138 баллов
    NTMTS0D7N06CLTXGMOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP020N06B-F102MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP4D5N10CMOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
    926Кешбэк 138 баллов
    NTMFS7D8N10GTWGN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
    929Кешбэк 139 баллов
    FDPF8D5N10CMOSFET N-CH 100V 76A TO220F
    936Кешбэк 140 баллов
    2SK1461N-CHANNEL POWER MOSFET
    936Кешбэк 140 баллов
    NTD5C648NLT4GMOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
    938Кешбэк 140 баллов
    FCPF400N80ZL1-F154MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3
    938Кешбэк 140 баллов
    NVMFS5C410NWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
    945Кешбэк 141 балл
    FCP125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
    951Кешбэк 142 балла
    NTPF125N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    956Кешбэк 143 балла
    NTP067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    957Кешбэк 143 балла
    NVMFS5C404NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
    967Кешбэк 145 баллов
    FDMS4D0N12CMOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
    968Кешбэк 145 баллов
    FCP165N65S3R0MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    968Кешбэк 145 баллов
    NTP082N65S3HFMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    970Кешбэк 145 баллов
    FCB125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO263
    972Кешбэк 145 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП