NVMFS6H818NLT1G

Маркировка NVMFS6H818NLT1G, производитель ON Semiconductor:

• Тип: MOSFET N-канальный
• Номинальное напряжение: 80В
• Максимальный ток: 22А (при температуре 25°C)
• Размеры корпуса: 5DFN

Основные параметры:

• Резистивность на проводимость (RDS(on)): ≤ 47 мО при 25°C
• Сопротивление при перенапряжении (VGS(th)): ≤ 4 В
• Коэффициент температурной зависимости RDS(on): ≤ 3 мО/°C

Плюсы:

• Высокая проводимость (низкий RDS(on))
• Устойчивость к перенапряжению
• Малый размер корпуса (5DFN), что позволяет сэкономить место на печатной плате
• Высокая скорость включения/выключения

Минусы:

• Наличие дроссельного контура может потребоваться для предотвращения скачков тока при работе с индуктивными нагрузками
• Необходима дополнительная защита от перегрева и перенапряжения в некоторых приложениях

Общее назначение:

• Применяется в электронных устройствах, требующих высокой скорости включения/выключения и низкого сопротивления на проводимость
• Используется в системах управления двигателем, зарядных устройствах, источниках питания, преобразователях энергии

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы управления двигателем
• Зарядные устройства для смартфонов и ноутбуков
• Источники питания для серверов и компьютеров
• Преобразователи энергии для солнечных панелей
• Двигатели промышленного оборудования