Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVMFWS0D4N04XMT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVMFWS0D4N04XMT1G

NVMFWS0D4N04XMT1G

NVMFWS0D4N04XMT1G
;
NVMFWS0D4N04XMT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFWS0D4N04XMT1G
  • Описание:
    40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGEВсе характеристики

Минимальная цена NVMFWS0D4N04XMT1G при покупке от 1 шт 924.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFWS0D4N04XMT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFWS0D4N04XMT1G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 40В
      • Тип диода: T10M
      • Мощность: S08FL (мощность пакета)
      • Пакет: GEN 2
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Устойчивость к перегрузкам
      • Эффективное отводление тепла
      • Компактный размер
    • Минусы:
      • Высокие требования к установке и подключению
      • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Общее назначение:
      • Защита электронных устройств от вольтажных скачков и перегрузок
      • Отвод тепла от компонентов
      • Устойчивость к шуму и помехам
    • В каких устройствах применяется:
      • Смартфоны и планшеты
      • Автомобильные системы
      • Компьютеры и серверы
      • Индустриальные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFWS0D4N04XMT1G

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    519A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.42mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 330µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    138 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8550 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    197W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN

Техническая документация

 NVMFWS0D4N04XMT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    924 ₽
  • 10
    615 ₽
  • 100
    439 ₽
  • 500
    387 ₽
  • 1500
    345 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMFWS0D4N04XMT1G
  • Описание:
    40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGEВсе характеристики

Минимальная цена NVMFWS0D4N04XMT1G при покупке от 1 шт 924.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFWS0D4N04XMT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFWS0D4N04XMT1G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 40В
      • Тип диода: T10M
      • Мощность: S08FL (мощность пакета)
      • Пакет: GEN 2
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Устойчивость к перегрузкам
      • Эффективное отводление тепла
      • Компактный размер
    • Минусы:
      • Высокие требования к установке и подключению
      • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Общее назначение:
      • Защита электронных устройств от вольтажных скачков и перегрузок
      • Отвод тепла от компонентов
      • Устойчивость к шуму и помехам
    • В каких устройствах применяется:
      • Смартфоны и планшеты
      • Автомобильные системы
      • Компьютеры и серверы
      • Индустриальные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFWS0D4N04XMT1G

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    519A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.42mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 330µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    138 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8550 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    197W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN

Техническая документация

 NVMFWS0D4N04XMT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3113-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3635-Z-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3433-ZJ-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3221-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E2-AT9A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK4146-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK2084L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    HAT1038RJ-ELP-CHANNEL POWER MOSFET
    332Кешбэк 49 баллов
    UPA2792GR(0)-E1-AZSWITCHING N AND P TRANSISTORS
    333Кешбэк 49 баллов
    2SK3712-Z-E1-AZMOSFET N-CH 250V 9A TO252
    335Кешбэк 50 баллов
    2SJ350P-CHANNEL POWER MOSFET
    339Кешбэк 50 баллов
    RJK0380DPA-00#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-02#J0POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-WS#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0230DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    UPA2802T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0393DPA-0G#J7APOWER TRANSISTOR, MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2803T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717GR-E1-ATP-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0226DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 15A 8PSOP
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03M0DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    2SK1093-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    NP48N055MHE-S18-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП