Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVMTS0D6N04CLTXG
  • В избранное
  • В сравнение
NVMTS0D6N04CLTXG

NVMTS0D6N04CLTXG

NVMTS0D6N04CLTXG
;
NVMTS0D6N04CLTXG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMTS0D6N04CLTXG
  • Описание:
    T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSIВсе характеристики

Минимальная цена NVMTS0D6N04CLTXG при покупке от 1 шт 1632.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMTS0D6N04CLTXG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMTS0D6N04CLTXG

Основные параметры:

  • Название: NVMTS0D6N04CLTXG
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
  • Форм-фактор: PQFN (Plastic Quad Flat No-Lead)
  • Количество контактов: 8x8 = 64
  • Напряжение: 40В
  • Тип: MOSFET
  • Ток: до 12А
  • Частота: до 300кГц

Плюсы:

  • Высокая надежность: надежная работа при высоких температурах и нагрузках.
  • Малый размер: компактная плоская конструкция с низкой высотой.
  • Легкий отвод тепла: эффективное охлаждение благодаря использованию пластиковой оболочки.
  • Энергоэффективность: низкий уровень потерь энергии при работе.

Минусы:

  • Цена: может быть выше по сравнению с аналогичными MOSFETами других типов.
  • Зависимость от производителя: ограничения могут быть связаны с доступностью компонентов.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах, требующих высокой надежности и энергоэффективности.
  • Применяется в системах управления двигателей, инверторах, преобразователях напряжения и других приборах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем и приводами.
  • Системы управления мощностью в бытовой технике.
  • Промышленные системы управления двигателями.
  • Инверторы для преобразования напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики NVMTS0D6N04CLTXG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
  • Base Product Number
    NVMTS0

Техническая документация

 NVMTS0D6N04CLTXG.pdf
pdf. 0 kb
  • 4538 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 632 ₽
  • 10
    1 151 ₽
  • 100
    947 ₽
  • 1000
    917 ₽
  • 3000
    843 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMTS0D6N04CLTXG
  • Описание:
    T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSIВсе характеристики

Минимальная цена NVMTS0D6N04CLTXG при покупке от 1 шт 1632.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMTS0D6N04CLTXG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMTS0D6N04CLTXG

Основные параметры:

  • Название: NVMTS0D6N04CLTXG
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
  • Форм-фактор: PQFN (Plastic Quad Flat No-Lead)
  • Количество контактов: 8x8 = 64
  • Напряжение: 40В
  • Тип: MOSFET
  • Ток: до 12А
  • Частота: до 300кГц

Плюсы:

  • Высокая надежность: надежная работа при высоких температурах и нагрузках.
  • Малый размер: компактная плоская конструкция с низкой высотой.
  • Легкий отвод тепла: эффективное охлаждение благодаря использованию пластиковой оболочки.
  • Энергоэффективность: низкий уровень потерь энергии при работе.

Минусы:

  • Цена: может быть выше по сравнению с аналогичными MOSFETами других типов.
  • Зависимость от производителя: ограничения могут быть связаны с доступностью компонентов.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах, требующих высокой надежности и энергоэффективности.
  • Применяется в системах управления двигателей, инверторах, преобразователях напряжения и других приборах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем и приводами.
  • Системы управления мощностью в бытовой технике.
  • Промышленные системы управления двигателями.
  • Инверторы для преобразования напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики NVMTS0D6N04CLTXG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
  • Base Product Number
    NVMTS0

Техническая документация

 NVMTS0D6N04CLTXG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3113-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3635-Z-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3433-ZJ-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3221-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E2-AT9A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK4146-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK2084L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    HAT1038RJ-ELP-CHANNEL POWER MOSFET
    332Кешбэк 49 баллов
    UPA2792GR(0)-E1-AZSWITCHING N AND P TRANSISTORS
    333Кешбэк 49 баллов
    2SK3712-Z-E1-AZMOSFET N-CH 250V 9A TO252
    335Кешбэк 50 баллов
    2SJ350P-CHANNEL POWER MOSFET
    339Кешбэк 50 баллов
    RJK0380DPA-00#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-02#J0POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-WS#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0230DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    UPA2802T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0393DPA-0G#J7APOWER TRANSISTOR, MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2803T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717GR-E1-ATP-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0226DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 15A 8PSOP
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03M0DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    2SK1093-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    NP48N055MHE-S18-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП