Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVMYS006N08LHTWG
NVMYS006N08LHTWG

NVMYS006N08LHTWG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMYS006N08LHTWG
  • Описание:
    T8 80V LL LFPAKВсе характеристики

Минимальная цена NVMYS006N08LHTWG при покупке от 1 шт 368.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMYS006N08LHTWG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVMYS006N08LHTWG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Ta), 77A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 95µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 89W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK4 (5x6)
  • Корпус
    SOT-1023, 4-LFPAK

Техническая документация

 NVMYS006N08LHTWG.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    368 ₽
  • 10
    248 ₽
  • 100
    168 ₽
  • 1000
    133 ₽
  • 6000
    111 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMYS006N08LHTWG
  • Описание:
    T8 80V LL LFPAKВсе характеристики

Минимальная цена NVMYS006N08LHTWG при покупке от 1 шт 368.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMYS006N08LHTWG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVMYS006N08LHTWG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Ta), 77A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 95µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 89W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK4 (5x6)
  • Корпус
    SOT-1023, 4-LFPAK

Техническая документация

 NVMYS006N08LHTWG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UPA507TE-T1-ATP-CHANNEL MOSFET
    67Кешбэк 10 баллов
    SISS72DN-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    STW65N60DM6MOSFET N-CH 600V 38A TO247
    1 279Кешбэк 191 балл
    DMP2021UFDE-7MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
    155Кешбэк 23 балла
    TSM10NC65CF C0GMOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
    386Кешбэк 57 баллов
    NVMJS1D0N04CTWGMOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
    648Кешбэк 97 баллов
    STD11N60DM2MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
    344Кешбэк 51 балл
    EPC2202GANFET N-CH 80V 18A DIE
    711Кешбэк 106 баллов
    BSZ086P03NS3GATMA1MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
    187Кешбэк 28 баллов
    RQ5E035XNTCLMOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
    150Кешбэк 22 балла
    TSM280NB06LCR RLGMOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
    137Кешбэк 20 баллов
    SCT50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
    5 068Кешбэк 760 баллов
    DMTH10H010LPS-13MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
    368Кешбэк 55 баллов
    MTD3302T4SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    102Кешбэк 15 баллов
    TK2R4E08QM,S1XUMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
    907Кешбэк 136 баллов
    BB503CCS-TL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    R6007JNXC7GMOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
    370Кешбэк 55 баллов
    SCT4062KEC111200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
    1 983Кешбэк 297 баллов
    BSC076N06NS3GATMA1MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
    159Кешбэк 23 балла
    STD13N60DM2MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
    140Кешбэк 21 балл
    SIDR622DP-T1-RE3N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    SSS4N60BTTRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3PIN(3
    92Кешбэк 13 баллов
    PMV48XPVLMOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
    129Кешбэк 19 баллов
    IXFH76N15T2MOSFET N-CH 150V 76A TO247
    1 284Кешбэк 192 балла
    NVMFS5C423NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
    412Кешбэк 61 балл
    RRH090P03GZETBMOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
    395Кешбэк 59 баллов
    BSC016N06NSTATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
    702Кешбэк 105 баллов
    NTE2382MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220
    1 109Кешбэк 166 баллов
    NVMJS1D3N04CTWGMOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
    530Кешбэк 79 баллов
    TK200F04N1L,LXGQMOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
    754Кешбэк 113 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП