Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NVTFS4C05NWFTAG
  • В избранное
  • В сравнение
NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG
;
NVTFS4C05NWFTAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFS4C05NWFTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFNВсе характеристики

Минимальная цена NVTFS4C05NWFTAG при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFS4C05NWFTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтронным каналом. Это устройство предназначено для использования в различных электронных системах.

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30В
  • Номинальный ток нагрузки (ID): 22А (в режиме разряда) / 102А (в режиме импульсного разряда)
  • Тепловая мощность (PTH): 8Вт
  • Форм-фактор: 8WDFN (8-гнездная прямоугольная дифференциальная фасонная оболочка)

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря низкому временем переключения (trrmss)
  • Высокая плотность мощности благодаря малому размеру корпуса (8WDFN)
  • Низкий сопротивление канала (RDS(on))
  • Высокая способность к импульсной нагрузке

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при высоких уровнях тока
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами MOSFET
  • Необходимость использования качественных радиаторов для эффективного охлаждения

Общее назначение: Устройство используется в различных приложениях, где требуется высокая плотность мощности и высокая скорость переключения, такие как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Инверторы для преобразования напряжения
  • Приводы для промышленных систем
  • Блоки питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFS4C05NWFTAG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Ta), 102A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1988 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.2W (Ta), 68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NVTFS4

Техническая документация

 NVTFS4C05NWFTAG.pdf
pdf. 0 kb
  • 760 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    276 ₽
  • 10
    249 ₽
  • 100
    200 ₽
  • 500
    169 ₽
  • 3000
    139 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFS4C05NWFTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFNВсе характеристики

Минимальная цена NVTFS4C05NWFTAG при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFS4C05NWFTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтронным каналом. Это устройство предназначено для использования в различных электронных системах.

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30В
  • Номинальный ток нагрузки (ID): 22А (в режиме разряда) / 102А (в режиме импульсного разряда)
  • Тепловая мощность (PTH): 8Вт
  • Форм-фактор: 8WDFN (8-гнездная прямоугольная дифференциальная фасонная оболочка)

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря низкому временем переключения (trrmss)
  • Высокая плотность мощности благодаря малому размеру корпуса (8WDFN)
  • Низкий сопротивление канала (RDS(on))
  • Высокая способность к импульсной нагрузке

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при высоких уровнях тока
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами MOSFET
  • Необходимость использования качественных радиаторов для эффективного охлаждения

Общее назначение: Устройство используется в различных приложениях, где требуется высокая плотность мощности и высокая скорость переключения, такие как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Инверторы для преобразования напряжения
  • Приводы для промышленных систем
  • Блоки питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFS4C05NWFTAG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Ta), 102A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1988 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.2W (Ta), 68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NVTFS4

Техническая документация

 NVTFS4C05NWFTAG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SJ651MOSFET P-CH 60V 20A TO220ML
    354Кешбэк 53 балла
    SI7172DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
    652Кешбэк 97 баллов
    HUF76419D3STMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    67Кешбэк 10 баллов
    IRF8788TRPBFMOSFET N-CH 30V 24A 8SO
    130Кешбэк 19 баллов
    DMN62D1LFD-7MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
    22.2Кешбэк 3 балла
    STD17NF25MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
    317Кешбэк 47 баллов
    BSL606SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
    114Кешбэк 17 баллов
    IRFI9620GPBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
    504Кешбэк 75 баллов
    CSD16411Q3MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
    256Кешбэк 38 баллов
    IRFR420ATRPBFMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
    421Кешбэк 63 балла
    IRLR3915TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    333Кешбэк 49 баллов
    NTMFS5C604NLT3GMOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
    621Кешбэк 93 балла
    SI7110DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
    465Кешбэк 69 баллов
    IRFRC20TRPBFMOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    AUIRF7675M2TRMOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
    547Кешбэк 82 балла
    NTR3C21NZT3GMOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    PSMN057-200B,118MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
    663Кешбэк 99 баллов
    SUD20N10-66L-GE3MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
    113Кешбэк 16 баллов
    IPI70N04S406AKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
    163Кешбэк 24 балла
    IRFR9120NTRLPBFMOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    128Кешбэк 19 баллов
    DMT8012LFG-7MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
    206Кешбэк 30 баллов
    IRFR48ZTRLPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    422Кешбэк 63 балла
    RSJ250P10TLMOSFET P-CH 100V 25A LPTS
    645Кешбэк 96 баллов
    IRF7749L1TRPBFMOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
    736Кешбэк 110 баллов
    RSR025N03TLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    183Кешбэк 27 баллов
    IRFS7437TRLPBFТранзистор: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
    226Кешбэк 33 балла
    IRFR020TRPBFMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    374Кешбэк 56 баллов
    FDMC8360LMOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
    432Кешбэк 64 балла
    FCD5N60TMMOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    PSMN5R0-80BS,118MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
    459Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП