Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NVTFS6H860NLWFTAG
  • В избранное
  • В сравнение
NVTFS6H860NLWFTAG

NVTFS6H860NLWFTAG

NVTFS6H860NLWFTAG
;
NVTFS6H860NLWFTAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFS6H860NLWFTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFNВсе характеристики

Минимальная цена NVTFS6H860NLWFTAG при покупке от 1 шт 281.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFS6H860NLWFTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFS6H860NLWFTAG

Маркировка NVTFS6H860NLWFTAG

  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип устройства: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 80В
  • Номинальный ток: 8.1А в режиме тока прямого прохождения (ID) и 30А в режиме тока прямого прохождения (ID) при Tj = 25°C
  • Потребляемая мощность: 8Вт
  • Форм-фактор: 8WDFN

Основные параметры:

  • Эффективность: высокая благодаря низкому сопротивлению при срабатывании (Ron)
  • Термическая стабильность: способность выдерживать высокие температуры без потери характеристик
  • Контроль тока: точное управление током благодаря структуре MOSFET

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое энергопотребление
  • Стабильная работа при различных температурах
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Использование в системах управления мощностью
  • Применение в источниках питания
  • Работа в схемах преобразования напряжения
  • Интеграция в модули управления двигателем

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств
  • Системы управления электродвигателями
  • Преобразователи напряжения для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFS6H860NLWFTAG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.1A (Ta), 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 30µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    610 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 42W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NVTFS6

Техническая документация

 NVTFS6H860NLWFTAG.pdf
pdf. 0 kb
  • 1666 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    281 ₽
  • 10
    185 ₽
  • 500
    105 ₽
  • 3000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFS6H860NLWFTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFNВсе характеристики

Минимальная цена NVTFS6H860NLWFTAG при покупке от 1 шт 281.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFS6H860NLWFTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFS6H860NLWFTAG

Маркировка NVTFS6H860NLWFTAG

  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип устройства: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 80В
  • Номинальный ток: 8.1А в режиме тока прямого прохождения (ID) и 30А в режиме тока прямого прохождения (ID) при Tj = 25°C
  • Потребляемая мощность: 8Вт
  • Форм-фактор: 8WDFN

Основные параметры:

  • Эффективность: высокая благодаря низкому сопротивлению при срабатывании (Ron)
  • Термическая стабильность: способность выдерживать высокие температуры без потери характеристик
  • Контроль тока: точное управление током благодаря структуре MOSFET

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое энергопотребление
  • Стабильная работа при различных температурах
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Использование в системах управления мощностью
  • Применение в источниках питания
  • Работа в схемах преобразования напряжения
  • Интеграция в модули управления двигателем

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств
  • Системы управления электродвигателями
  • Преобразователи напряжения для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFS6H860NLWFTAG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.1A (Ta), 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 30µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    610 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 42W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NVTFS6

Техническая документация

 NVTFS6H860NLWFTAG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1419N-CHANNEL POWER MOSFET
    272Кешбэк 40 баллов
    2SK2045LSN-CHANNEL SILICON MOSFET
    274Кешбэк 41 балл
    NVTFS6H850NWFTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    274Кешбэк 41 балл
    NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    275Кешбэк 41 балл
    NTLJS4D9N03HTAGMOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
    277Кешбэк 41 балл
    NVTFS5C478NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
    277Кешбэк 41 балл
    FQA13N50C-F109MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
    279Кешбэк 41 балл
    NVMFS6H852NLWFT1GMOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
    279Кешбэк 41 балл
    NVMFS5C468NWFT1GMOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
    279Кешбэк 41 балл
    NVMFD6H852NLT1GMOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
    279Кешбэк 41 балл
    HUF76633P3-F085MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
    279Кешбэк 41 балл
    NVTFS6H860NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
    281Кешбэк 42 балла
    FDMC3612-L701POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
    283Кешбэк 42 балла
    NTMYS021N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
    283Кешбэк 42 балла
    NTMFS5C426NT1GMOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
    285Кешбэк 42 балла
    NVTFWS030N06CTAGMOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
    285Кешбэк 42 балла
    FCP190N60-GF102MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    289Кешбэк 43 балла
    NVMFS5C680NLWFT1GMOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
    289Кешбэк 43 балла
    NVTFS016N06CTAGMOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
    289Кешбэк 43 балла
    2SK1427N-CHANNEL POWER MOSFET
    293Кешбэк 43 балла
    2SK1447LSN-CHANNEL SILICON MOSFET
    293Кешбэк 43 балла
    NTMFS4C020NT1GMOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
    293Кешбэк 43 балла
    NTMYS8D0N04CTWGMOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
    293Кешбэк 43 балла
    NTMFS4C09NBT1GMOSFET N-CH 30V SO8FL
    293Кешбэк 43 балла
    NVMFS5C450NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
    293Кешбэк 43 балла
    NTMFS4C09NAT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
    293Кешбэк 43 балла
    NVTFS6H854NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
    294Кешбэк 44 балла
    NVMFS6H864NT1GMOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
    295Кешбэк 44 балла
    NVMFS014P04M8LT1GMV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
    298Кешбэк 44 балла
    STTFS015N10MCL-
    298Кешбэк 44 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП