Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NVTFWS027N10MCLTAG
  • В избранное
  • В сравнение
NVTFWS027N10MCLTAG

NVTFWS027N10MCLTAG

NVTFWS027N10MCLTAG
;
NVTFWS027N10MCLTAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFWS027N10MCLTAG
  • Описание:
    PTNG 100V LL U8FLВсе характеристики

Минимальная цена NVTFWS027N10MCLTAG при покупке от 1 шт 265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFWS027N10MCLTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFWS027N10MCLTAG

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Название и описание: NVTFWS027N10MCLTAG — это полупроводниковый транзистор из семейства MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства ON Semiconductor. Описание PTNG 100V LL U8FL указывает на следующие характеристики:
    • Основные параметры:
      • Номинальный напряжение коллектора-эмиттера: 100В
      • Тип: Нормально conducting (PTN)
      • Мощность: 8Вт
      • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
      • Малые потери энергии при передаче тока
      • Высокая скорость переключения
      • Минимизация тепловых потерь
    • Минусы:
      • Высокие требования к проектированию и охлаждению
      • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при высоких напряжениях, такие как источники питания, преобразователи частоты, инверторы и другие системы управления.
    • Применение:
      • Источники питания
      • Преобразователи
      • Системы управления двигателем
      • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFWS027N10MCLTAG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.4A (Ta), 28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 38µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 46W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN

Техническая документация

 NVTFWS027N10MCLTAG.pdf
pdf. 0 kb
  • 4500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    265 ₽
  • 10
    168 ₽
  • 500
    97 ₽
  • 3000
    71 ₽
  • 7500
    70 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFWS027N10MCLTAG
  • Описание:
    PTNG 100V LL U8FLВсе характеристики

Минимальная цена NVTFWS027N10MCLTAG при покупке от 1 шт 265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFWS027N10MCLTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFWS027N10MCLTAG

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Название и описание: NVTFWS027N10MCLTAG — это полупроводниковый транзистор из семейства MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства ON Semiconductor. Описание PTNG 100V LL U8FL указывает на следующие характеристики:
    • Основные параметры:
      • Номинальный напряжение коллектора-эмиттера: 100В
      • Тип: Нормально conducting (PTN)
      • Мощность: 8Вт
      • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
      • Малые потери энергии при передаче тока
      • Высокая скорость переключения
      • Минимизация тепловых потерь
    • Минусы:
      • Высокие требования к проектированию и охлаждению
      • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при высоких напряжениях, такие как источники питания, преобразователи частоты, инверторы и другие системы управления.
    • Применение:
      • Источники питания
      • Преобразователи
      • Системы управления двигателем
      • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFWS027N10MCLTAG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.4A (Ta), 28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 38µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 46W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN

Техническая документация

 NVTFWS027N10MCLTAG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMFS5H610NLT1GMOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN
    259Кешбэк 38 баллов
    NVMYS025N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
    259Кешбэк 38 баллов
    NVMFWS014P04M8LT1GMV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
    261Кешбэк 39 баллов
    NTMYS011N04CTWGMOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
    262Кешбэк 39 баллов
    2SK2161Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    263Кешбэк 39 баллов
    NVMFS6H852NLT1GMOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
    263Кешбэк 39 баллов
    NVTFWS027N10MCLTAGPTNG 100V LL U8FL
    265Кешбэк 39 баллов
    NVMYS011N04CTWGMOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
    266Кешбэк 39 баллов
    NVD3055-094T4G-VF01MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    266Кешбэк 39 баллов
    NVMFS5C468NT1GMOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
    266Кешбэк 39 баллов
    NTLJS3D0N02P8ZTAGMOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
    266Кешбэк 39 баллов
    NTTFS6H850NTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    267Кешбэк 40 баллов
    NVMFS5C677NLT1GMOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN
    268Кешбэк 40 баллов
    NVTFS6H854NWFTAGMOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
    270Кешбэк 40 баллов
    NVTFS5C680NLWFTAGMOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
    270Кешбэк 40 баллов
    NVD5C454NLT4GMOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
    278Кешбэк 41 балл
    2SK1419N-CHANNEL POWER MOSFET
    278Кешбэк 41 балл
    2SK2045LSN-CHANNEL SILICON MOSFET
    280Кешбэк 42 балла
    NVTFS6H850NWFTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    280Кешбэк 42 балла
    NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    282Кешбэк 42 балла
    NTLJS4D9N03HTAGMOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
    284Кешбэк 42 балла
    NVTFS5C478NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
    284Кешбэк 42 балла
    FQA13N50C-F109MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
    286Кешбэк 42 балла
    NVMFS6H852NLWFT1GMOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
    286Кешбэк 42 балла
    NVMFS5C468NWFT1GMOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
    286Кешбэк 42 балла
    NVMFD6H852NLT1GMOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
    286Кешбэк 42 балла
    HUF76633P3-F085MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
    286Кешбэк 42 балла
    NVTFS6H860NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
    288Кешбэк 43 балла
    FDMC3612-L701POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
    290Кешбэк 43 балла
    NTMYS021N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
    290Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП