Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

NX3008NBKVL

NX3008NBKVL

NX3008NBKVL

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Nexperia USA Inc.
Артикул:
NX3008NBKVL
Описание:
MOSFET N-CH 30V 400MA TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена NX3008NBKVL при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NX3008NBKVL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики NX3008NBKVL

Package
Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.68 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-236AB
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
NX3008

Техническая документация

NX3008NBKVL.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

5565 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
56 ₽
50
24 ₽
10000
7.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Nexperia USA Inc.
Артикул:
NX3008NBKVL
Описание:
MOSFET N-CH 30V 400MA TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена NX3008NBKVL при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NX3008NBKVL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики NX3008NBKVL

Package
Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.68 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-236AB
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
NX3008

Техническая документация

NX3008NBKVL.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SIR182LDP-T1-RE3 N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

439Кешбэк 65 баллов

NVMFS4C310NT1G MOSFET N-CH 30V 17A/51A 5DFN

102Кешбэк 15 баллов

2SJ589LS POWER MOSFET MOTOR DRIVERS

248Кешбэк 37 баллов

DIT150N03 MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB

387Кешбэк 58 баллов

CSD25485F5 MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR

116Кешбэк 17 баллов

AOSP21321 MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

142Кешбэк 21 балл

IPW60R145CFD7XKSA1 MOSFET HIGH POWER

824Кешбэк 123 балла

IRFP251 N-CHANNEL POWER MOSFET

357Кешбэк 53 балла

SIHP23N60E-BE3 N-CHANNEL 600V

708Кешбэк 106 баллов

NTMFS08N004C MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN

878Кешбэк 131 балл

NVMFS6H824NLWFT1G MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN

626Кешбэк 93 балла

SQM10250E_GE3 MOSFET N-CH 250V 65A TO263

749Кешбэк 112 баллов

RFP25N06L N-CHANNEL, MOSFET

463Кешбэк 69 баллов

AOTF66616L MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F

659Кешбэк 98 баллов

FCH165N65S3R0-F155 MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3

1 186Кешбэк 177 баллов

R6011KNJTL MOSFET N-CH 600V 11A LPTS

572Кешбэк 85 баллов

PSMN5R0-40MLHX MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33

181Кешбэк 27 баллов

G3035L P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

67Кешбэк 10 баллов

FDBL86366-F085 MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF

417Кешбэк 62 балла

2SK2329L-E N-CHANNEL POWER MOSFET

325Кешбэк 48 баллов

NVTFWS015P03P8ZTAG PT8P PORTFOLIO EXPANSION

295Кешбэк 44 балла

SQ9407EY-T1_BE3 MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC

275Кешбэк 41 балл

IPN60R360P7SATMA1 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

204Кешбэк 30 баллов

IPW60R280C6FKSA1 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3

314Кешбэк 47 баллов

RJK03B7DPA-WS#J53 N-CHANNEL POWER MOSFET

151Кешбэк 22 балла

SQJA37EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

232Кешбэк 34 балла

PJA3404_R1_00001 SOT-23, MOSFET

54Кешбэк 8 баллов

AONS66920 MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN

357Кешбэк 53 балла

SQJA90EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

319Кешбэк 47 баллов

RQ6E060ATTCR MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6

198Кешбэк 29 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - IGBT - модули

Принадлежности

Высокочастотные диоды

IGBT транзисторы

Транзисторы - Специального назначения

Драйверы питания - Модули

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - IGBT - одиночные

Полевые транзисторы - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Высокочастотные биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Симисторы - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Биполярные транзисторы - Сборки

Варикапы и Варакторы

Диодные мосты

Диоды - выпрямители - одиночные

Диодные мосты - Модули

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - Модули

Тиристоры - SCR - модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы - JFET

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Симисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Модули драйверов питания

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды силовые

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диоды выпрямительные - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды - мостовые выпрямители

Программируемые однопереходные транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Тиристоры - SCR

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали