Вход/Регистрация
FP75R12KT4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 385W
NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG
- Производитель:onsemi
- Артикул:NXH100B120H3Q0STG
- Описание:Транзистор: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22Все характеристики
Минимальная цена NXH100B120H3Q0STG при покупке от 1 шт 11775.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXH100B120H3Q0STG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 23 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 111 775 ₽
- 248 847 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:onsemi
- Артикул:NXH100B120H3Q0STG
- Описание:Транзистор: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22Все характеристики
Минимальная цена NXH100B120H3Q0STG при покупке от 1 шт 11775.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXH100B120H3Q0STG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание NXH100B120H3Q0STG
Маркировка NXH100B120H3Q0STG от On Semiconductor:
- Тип устройства: IGBT модуль
- Номинальное напряжение: 1200В
- Номинальный ток: 50А
- Коэффициент мощности: 186ВА
- Серия: PIM22
Основные параметры:
- Плюсы:
- Высокая эффективность работы
- Устойчивость к перегреву
- Удобство использования в системах управления
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT
- Требует дополнительного охлаждения
Общее назначение: Используется для управления электрическими цепями в различных приложениях, где требуется высокая степень регулирования мощности.
В каких устройствах применяется:
- Автомобильная электроника
- Промышленное оборудование
- Энергосистемы
- Солнечные панели
- Электротранспорт
Выбрано: Показать
Характеристики NXH100B120H3Q0STG
Техническая документация
NXH100B120H3Q0STG.pdf pdf. 0 kb