Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Модули драйверов питания
NXV65HR82DS2
  • В избранное
  • В сравнение
NXV65HR82DS2

NXV65HR82DS2

NXV65HR82DS2
;
NXV65HR82DS2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NXV65HR82DS2
  • Описание:
    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDGВсе характеристики

Минимальная цена NXV65HR82DS2 при покупке от 1 шт 5599.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXV65HR82DS2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXV65HR82DS2

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Описание: Набор мощных полупроводниковых элементов для использования в автомобильных системах.
    • Основные параметры:
      • Мощность: 65 В
      • Ток: 82 А
      • Стандарт: Автомобильный (AUTOMOTIVE)
      • Тип: H-мост (H-BRIDG)
    • Плюсы:
      • Высокая надежность и долговечность
      • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
      • Минимизация потерь энергии
      • Простота интеграции в системы
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными модулями
      • Необходимость специального оборудования для монтажа
      • Ограниченное место для установки из-за размеров
    • Общее назначение: Использование в электрических и электронных системах автомобилей, таких как системы управления двигателем, зарядные устройства, системы привода.
    • Применение:
      • Двигатели внутреннего сгорания
      • Электрические системы
      • Системы управления
      • Зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NXV65HR82DS2

  • Package
    Tube
  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    H-Bridge
  • Сила тока
    26 A
  • Напряжение
    650 V
  • Изоляционное напряжение
    5000Vrms
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads

Техническая документация

 NXV65HR82DS2.pdf
pdf. 0 kb
  • 48 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 599 ₽
  • 12
    4 989 ₽
  • 108
    4 889 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NXV65HR82DS2
  • Описание:
    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDGВсе характеристики

Минимальная цена NXV65HR82DS2 при покупке от 1 шт 5599.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXV65HR82DS2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXV65HR82DS2

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Описание: Набор мощных полупроводниковых элементов для использования в автомобильных системах.
    • Основные параметры:
      • Мощность: 65 В
      • Ток: 82 А
      • Стандарт: Автомобильный (AUTOMOTIVE)
      • Тип: H-мост (H-BRIDG)
    • Плюсы:
      • Высокая надежность и долговечность
      • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
      • Минимизация потерь энергии
      • Простота интеграции в системы
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными модулями
      • Необходимость специального оборудования для монтажа
      • Ограниченное место для установки из-за размеров
    • Общее назначение: Использование в электрических и электронных системах автомобилей, таких как системы управления двигателем, зарядные устройства, системы привода.
    • Применение:
      • Двигатели внутреннего сгорания
      • Электрические системы
      • Системы управления
      • Зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NXV65HR82DS2

  • Package
    Tube
  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    H-Bridge
  • Сила тока
    26 A
  • Напряжение
    650 V
  • Изоляционное напряжение
    5000Vrms
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads

Техническая документация

 NXV65HR82DS2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IM818LCCXKMA1CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
    5 180Кешбэк 777 баллов
    FDMF5071SMART POWER STAGE (SPS) MODULES
    975Кешбэк 146 баллов
    FDMF5062SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
    993Кешбэк 148 баллов
    FSB50550BBSPM5 V3 INV 500V 3OHM
    1 216Кешбэк 182 балла
    FSB50250BMODULE SPM 500V
    1 341Кешбэк 201 балл
    FSB50250BSIPM 500V 2A
    1 388Кешбэк 208 баллов
    FSB50825ABAC MOTOR CONTROLLER, 9A, HYBRID
    1 502Кешбэк 225 баллов
    NFA50460R47IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
    1 569Кешбэк 235 баллов
    NFA50460R4BIPM SPMS 600V 4A F256-MOD23
    1 870Кешбэк 280 баллов
    FSB50650BSIPM 500V 2.5A
    1 945Кешбэк 291 балл
    NFAP0560L3TTINTELLIGENT POWER MODULE (IPM),
    1 960Кешбэк 294 балла
    NFAQ0560R43TMOSFET N/P-CH
    2 182Кешбэк 327 баллов
    NFAQ0860L33TINTELLIGENT POWER MODULE (IPM),
    2 276Кешбэк 341 балл
    FNB41060B2IGBT 3PH 600V 10A MODULE
    2 959Кешбэк 443 балла
    FNA41560T2MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
    2 976Кешбэк 446 баллов
    STK554U392C-E3 PHASE INVERTER IPM
    3 222Кешбэк 483 балла
    NFAQ1060L33TMOD IPM INV 600V 10A 38DIP
    3 226Кешбэк 483 балла
    NFCS1060L3TTIPM 600V 10A
    3 403Кешбэк 510 баллов
    FND43060T2IPM SPM45_V2 600V 30A REM
    3 670Кешбэк 550 баллов
    NXV65HR82DZ2AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
    3 718Кешбэк 557 баллов
    NXV65HR82DZ1AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
    3 754Кешбэк 563 балла
    STK544UC63K-EINTELLIGENT POWER MODULE 600V 10
    4 205Кешбэк 630 баллов
    NFAM3065L4B3 PHASE INVERTER IPM
    4 277Кешбэк 641 балл
    NFAM3065L4BTIPM 650V 30A
    4 343Кешбэк 651 балл
    NFAM2065L4BT3 PHASE INVERTER IPM
    4 713Кешбэк 706 баллов
    NFP36060L42TBRIDGELESS PFCM V2
    5 284Кешбэк 792 балла
    NFAM1012L5BTINTELLIGENT POWER MODULE, SPM31,
    5 333Кешбэк 799 баллов
    NXV04V120DB13-PHASE INVERTER AUTOMOTI
    5 534Кешбэк 830 баллов
    NXV65HR82DS2AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
    5 599Кешбэк 839 баллов
    NFAM0512L5BTINTELLIGENT POWER MODULE, SPM31,
    5 833Кешбэк 874 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП