Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Модули драйверов питания
NXV65HR82DZ1
  • В избранное
  • В сравнение
NXV65HR82DZ1

NXV65HR82DZ1

NXV65HR82DZ1
;
NXV65HR82DZ1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NXV65HR82DZ1
  • Описание:
    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDGВсе характеристики

Минимальная цена NXV65HR82DZ1 при покупке от 1 шт 3689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXV65HR82DZ1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXV65HR82DZ1

Размеры и тип: Маркировка NXV65HR82DZ1 указывает на автомобильный модуль мощности типа H-бридж. Производитель - ONSEMI.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650 В
    • Номинальный ток: 82 А
    • Тип: H-бридговый модуль мощности
    • Применяется в автотранспортных средствах и других устройствах, требующих управления мощными токами
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Малый размер и вес, что важно для автомобилей
    • Улучшенная термостабильность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами модулей
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Сложность в монтаже и обслуживании

Общее назначение: NXV65HR82DZ1 используется для управления мощными токами в электронных системах автомобилей, таких как системы питания, управления двигателем, системами привода и тормозами. Также может применяться в промышленных устройствах, где требуется управление мощными электрическими цепями.

Выбрано: Показать

Характеристики NXV65HR82DZ1

  • Package
    Tube
  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    H-Bridge
  • Сила тока
    26 A
  • Напряжение
    650 V
  • Изоляционное напряжение
    5000Vrms
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads

Техническая документация

 NXV65HR82DZ1.pdf
pdf. 0 kb
  • 67 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 689 ₽
  • 5
    3 678 ₽
  • 10
    3 665 ₽
  • 50
    3 654 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NXV65HR82DZ1
  • Описание:
    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDGВсе характеристики

Минимальная цена NXV65HR82DZ1 при покупке от 1 шт 3689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXV65HR82DZ1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXV65HR82DZ1

Размеры и тип: Маркировка NXV65HR82DZ1 указывает на автомобильный модуль мощности типа H-бридж. Производитель - ONSEMI.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650 В
    • Номинальный ток: 82 А
    • Тип: H-бридговый модуль мощности
    • Применяется в автотранспортных средствах и других устройствах, требующих управления мощными токами
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Малый размер и вес, что важно для автомобилей
    • Улучшенная термостабильность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами модулей
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Сложность в монтаже и обслуживании

Общее назначение: NXV65HR82DZ1 используется для управления мощными токами в электронных системах автомобилей, таких как системы питания, управления двигателем, системами привода и тормозами. Также может применяться в промышленных устройствах, где требуется управление мощными электрическими цепями.

Выбрано: Показать

Характеристики NXV65HR82DZ1

  • Package
    Tube
  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    H-Bridge
  • Сила тока
    26 A
  • Напряжение
    650 V
  • Изоляционное напряжение
    5000Vrms
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads

Техническая документация

 NXV65HR82DZ1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NFAQ0560R43TMOSFET N/P-CH
    2 088Кешбэк 313 баллов
    NFAQ0860L33TINTELLIGENT POWER MODULE (IPM),
    2 237Кешбэк 335 баллов
    FCBS0550-ONAC MOTOR CONTROLLER, 7A
    2 696Кешбэк 404 балла
    FNB41060B2IGBT 3PH 600V 10A MODULE
    2 788Кешбэк 418 баллов
    FNA41560T2MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
    2 805Кешбэк 420 баллов
    STK554U392C-E3 PHASE INVERTER IPM
    3 037Кешбэк 455 баллов
    NFAQ1060L33TMOD IPM INV 600V 10A 38DIP
    3 040Кешбэк 456 баллов
    NFAQ1060L36TINTELLIGENT POWER MODULE (IPM),
    3 044Кешбэк 456 баллов
    NXV65HR82DZ2AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
    3 448Кешбэк 517 баллов
    FND43060T2IPM SPM45_V2 600V 30A REM
    3 459Кешбэк 518 баллов
    NXV65HR82DZ1AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
    3 689Кешбэк 553 балла
    FND42060F2SPM45H INV 600V 25A LL
    3 759Кешбэк 563 балла
    NFAQ1560R43TMODULE IPM 600V 15A DIPS6
    3 850Кешбэк 577 баллов
    NFAM2065L4BMOD IPM 3-PH INVERTER 29DIP
    3 933Кешбэк 589 баллов
    STK544UC63K-EINTELLIGENT POWER MODULE 600V 10
    3 963Кешбэк 594 балла
    NFP36060L42TBRIDGELESS PFCM V2
    3 985Кешбэк 597 баллов
    NFAM3065L4BTIPM 650V 30A
    4 107Кешбэк 616 баллов
    NFAM3065L4B3 PHASE INVERTER IPM
    4 204Кешбэк 630 баллов
    NFAM2065L4BT3 PHASE INVERTER IPM
    4 632Кешбэк 694 балла
    NFCS1060L3TTIPM 600V 10A
    4 663Кешбэк 699 баллов
    NFAM1012L5BTINTELLIGENT POWER MODULE, SPM31,
    5 026Кешбэк 753 балла
    NXV04V120DB13-PHASE INVERTER AUTOMOTI
    5 215Кешбэк 782 балла
    NFAM5065L4BT3 PHASE INVERTER IPM
    5 586Кешбэк 837 баллов
    NFAM5065L4B3 PHASE INVERTER IPM
    5 586Кешбэк 837 баллов
    NFAM0512L5BTINTELLIGENT POWER MODULE, SPM31,
    5 733Кешбэк 859 баллов
    FNB35060TPWR DRVR MOD 600V 50A 27PWRDIP
    5 736Кешбэк 860 баллов
    FAM65CR51ADZ2POWER INTEGRATED MODULE (PIM) BO
    5 797Кешбэк 869 баллов
    NXV65HR82DS2AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
    5 949Кешбэк 892 балла
    NFVA33065L42ASPM27 V3 650V/30A (FOR TICO)
    5 988Кешбэк 898 баллов
    NFVA33065L32ASPM27 V2 650V/30A
    6 105Кешбэк 915 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП