Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
P1087
  • В избранное
  • В сравнение
P1087

P1087

P1087
;
P1087

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    InterFET
  • Артикул:
    P1087
  • Описание:
    JFET P-CH 30V 350MW TO92Все характеристики

Минимальная цена P1087 при покупке от 1 шт 880.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить P1087 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание P1087

P1087 InterFET JFET P-CH 30V 350MW TO92 — это полупроводниковый ненапрямочник (JFET) с положительным каналом (P-канал). Основные параметры и характеристики:

  • Напряжение операционного диапазона: 30 В
  • Максимальная мощность: 350 мВт
  • Тип корпуса: TO92

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме открытия
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Низкий уровень шума
  • Простота использования

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах
  • Меньшая точность регулирования напряжения по сравнению с MOSFET

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения
  • Изоляция сигналов
  • Драйверы для транзисторов
  • Антенны для радиоэлектроники

Применение:

  • Радиоэлектроника
  • Автомобильная электроника
  • Производство бытовой техники
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики P1087

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 20 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    5 V @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    45pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    150 Ohms
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    P1087

Техническая документация

 P1087.pdf
pdf. 0 kb
  • 3566 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    880 ₽
  • 10
    581 ₽
  • 100
    454 ₽
  • 500
    404 ₽
  • 1000
    345 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    InterFET
  • Артикул:
    P1087
  • Описание:
    JFET P-CH 30V 350MW TO92Все характеристики

Минимальная цена P1087 при покупке от 1 шт 880.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить P1087 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание P1087

P1087 InterFET JFET P-CH 30V 350MW TO92 — это полупроводниковый ненапрямочник (JFET) с положительным каналом (P-канал). Основные параметры и характеристики:

  • Напряжение операционного диапазона: 30 В
  • Максимальная мощность: 350 мВт
  • Тип корпуса: TO92

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме открытия
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Низкий уровень шума
  • Простота использования

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах
  • Меньшая точность регулирования напряжения по сравнению с MOSFET

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения
  • Изоляция сигналов
  • Драйверы для транзисторов
  • Антенны для радиоэлектроники

Применение:

  • Радиоэлектроника
  • Автомобильная электроника
  • Производство бытовой техники
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики P1087

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 20 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    5 V @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    45pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    150 Ohms
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    P1087

Техническая документация

 P1087.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    65Кешбэк 9 баллов
    2SK715W-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    2SK715U-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    73Кешбэк 10 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    85Кешбэк 12 баллов
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    92Кешбэк 13 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    98Кешбэк 14 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    109Кешбэк 16 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    114Кешбэк 17 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    125Кешбэк 18 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    139Кешбэк 20 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    151Кешбэк 22 балла
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    185Кешбэк 27 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    209Кешбэк 31 балл
    CPH6904-TL-EJFET 2N-CH 0.7W CPH6
    210Кешбэк 31 балл
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    104Кешбэк 15 баллов
    2SK208-R(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    127Кешбэк 19 баллов
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    142Кешбэк 21 балл
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    720Кешбэк 108 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    826Кешбэк 123 балла
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    880Кешбэк 132 балла
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    880Кешбэк 132 балла
    PN4117AJFET N-CH 40V 0.35W TO92
    920Кешбэк 138 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 807Кешбэк 421 балл
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 809Кешбэк 421 балл
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 809Кешбэк 421 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП