PBSS4260PANSX

PBSS4260PANSX Nexperia USA Inc. — транзистор

• Основные параметры:
• Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
• Номинальное напряжение (V_GS(th)): 4,5 В
• Максимальное напряжение (V_DS(max)): 60 В
• Максимальный ток (I_D(max)): 2,6 А
• Технология производства: Si
• Плюсы:
• Высокая надежность
• Низкое сопротивление при включенном состоянии
• Малый размер и низкая тепловая нагрузка
• Простота использования
• Минусы:
• Небольшой ток при высоком напряжении
• Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения
• Контроль тока
• Переключение электрических цепей
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Системы питания
• Электронные устройства управления
• Мобильные устройства
• Инверторы