PBSS5130PAP,115

PBSS5130PAP, 115 Nexperia Транзистор

• Основные параметры:
• Тип: полевая транзисторная кремниевая MOSFET
• Максимальное напряжение Uds(on): 115 В
• Размеры: SOT23-5
• Максимальный ток I_D: 4.5 А
• Резистивность на проводимость R_DS(on): 115 мО при 25°C
• Плюсы:
• Высокий коэффициент передачи
• Низкий резистивный ток при включенном состоянии
• Малый размер и высокая надежность
• Высокая стабильность параметров при температурных изменениях
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Общее назначение:
• Использование в электронных устройствах для управления током
• Применение в системах питания и преобразователях
• Контроль в цепях с высоким напряжением
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления
• Мощных преобразователях энергии
• Системах питания устройств
• Инверторах и преобразователях напряжения
• Электронных цепях управления двигателем