PCDD08120G1_L2_00001

• Напряжение срабатывания (UD(on)): 1200 В
• Тип: SIC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diode
• Обозначение маркировки: PCDD08120G1_L2_00001 (дополнительные характеристики производителя)

Плюсы:

• Высокая проводимость при низком напряжении срабатывания
• Низкое энергетическое сопротивление
• Высокая температурная стойкость
• Малый размер и масса
• Устойчивость к шумам и импульсным нагрузкам

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
• Ограниченный выбор моделей и производителей

Общее назначение:

• Использование в высоковольтных системах
• Применение в системах управления электрической энергией
• Работа в условиях высоких температур
• Интеграция в современные энергоэффективные устройства

В каких устройствах применяется:

• Системы преобразования напряжения (UPS)
• Электропитание электромобилей
• Промышленное оборудование
• Энергоэффективные системы освещения
• Маршрутизаторы и коммутаторы для сетей связи