Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
PCDP20120G1_T0_00001
  • В избранное
  • В сравнение
PCDP20120G1_T0_00001

PCDP20120G1_T0_00001

PCDP20120G1_T0_00001
;
PCDP20120G1_T0_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PCDP20120G1_T0_00001
  • Описание:
    Диод: TO-220AC, SICВсе характеристики

Минимальная цена PCDP20120G1_T0_00001 при покупке от 1 шт 2147.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PCDP20120G1_T0_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PCDP20120G1_T0_00001

Диод TO-220AC, SIC от Panjit International Inc.

  • Основные параметры:
    • Максимальный ток прямого тока (ID): 65 А
    • Максимальное напряжение обратного хода (VR): 450 В
    • Термический коэффициент UF: -2 мВ/°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Низкое напряжение срабатывания
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая тепловая мощность требует эффективной охлаждения
    • Цена может быть выше, чем у менее мощных моделей
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Конвертация напряжений в источниках питания
    • Фильтрация и регулировка напряжений
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Источниках питания для серверов
    • Электротехнических приборах
    • Промышленных контроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики PCDP20120G1_T0_00001

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 20 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    180 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    1.04nF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 PCDP20120G1_T0_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 1993 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 147 ₽
  • 50
    1 301 ₽
  • 100
    1 262 ₽
  • 500
    1 215 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PCDP20120G1_T0_00001
  • Описание:
    Диод: TO-220AC, SICВсе характеристики

Минимальная цена PCDP20120G1_T0_00001 при покупке от 1 шт 2147.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PCDP20120G1_T0_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PCDP20120G1_T0_00001

Диод TO-220AC, SIC от Panjit International Inc.

  • Основные параметры:
    • Максимальный ток прямого тока (ID): 65 А
    • Максимальное напряжение обратного хода (VR): 450 В
    • Термический коэффициент UF: -2 мВ/°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Низкое напряжение срабатывания
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая тепловая мощность требует эффективной охлаждения
    • Цена может быть выше, чем у менее мощных моделей
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Конвертация напряжений в источниках питания
    • Фильтрация и регулировка напряжений
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Источниках питания для серверов
    • Электротехнических приборах
    • Промышленных контроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики PCDP20120G1_T0_00001

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 20 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    180 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    1.04nF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 PCDP20120G1_T0_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STTH30RQ06WLДиод: 600 V, 30 A SOFT ULTRAFAST RECOV
    683Кешбэк 102 балла
    STPS140AFNДиод: 40 V, 1 A POWER SCHOTTKY RECTIFI
    84Кешбэк 12 баллов
    STPSC6H065DLFДиод: SILICON CARBIDE DIODES
    603Кешбэк 90 баллов
    STTH200F04TV1Диод: DIODE MODULE 400V ISOTOP
    5 445Кешбэк 816 баллов
    STPSC10H12DYДиод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
    1 160Кешбэк 174 балла
    FERD40H100SFP100 V 40 A FIELD-EFFECT RECTIFIE
    157Кешбэк 23 балла
    STPS3H100UFNY3 A 100 V SCHOTTKY RECTIFIER
    142Кешбэк 21 балл
    UPS5819E3/TR7DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE1
    84Кешбэк 12 баллов
    1N5806Диод: DO-204AP 2.5 AMP RECTIFIER
    1 019Кешбэк 152 балла
    1N5811Диод: G 4 6 AMP SILICON RECTIFIER
    1 262Кешбэк 189 баллов
    1N645D-SI 225V .4A
    176Кешбэк 26 баллов
    1N5712-1SCHOTTKY DIODE
    814Кешбэк 122 балла
    1N649-1/TRSIGNAL/COMPUTER DIODE
    471Кешбэк 70 баллов
    1N6638USDIODE GEN PURPOSE
    1 367Кешбэк 205 баллов
    1N5819UR-1Диод: 5A SCHOTTKY RECTIFIER
    950Кешбэк 142 балла
    CD4148SIGNAL/COMPUTER DIODE
    185Кешбэк 27 баллов
    MSC030SDA120BДиод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247
    1 998Кешбэк 299 баллов
    MSC050SDA170BДиод: SIC SBD 1700 V 50 A TO-247
    7 954Кешбэк 1 193 балла
    1N5806USE3Диод: UFR,FRR
    1 092Кешбэк 163 балла
    1N4148-1E3Диод: GLASS AXIAL SWITCHING DIODE
    316Кешбэк 47 баллов
    1N647D-SI 400V .4A
    299Кешбэк 44 балла
    MSC010SDA070KДиод: DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-2
    407Кешбэк 61 балл
    APT40DQ120SGДиод: FRED DQ 1200 V 40 A TO-268
    618Кешбэк 92 балла
    1N4148UR-1E3/TRSIGNAL/COMPUTER DIODE
    215Кешбэк 32 балла
    CDLL4148E3SIGNAL/COMPUTER DIODE
    560Кешбэк 84 балла
    1N5811/TRDIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
    1 296Кешбэк 194 балла
    1N58255 AMP SCHOTTKY METAL
    9 689Кешбэк 1 453 балла
    MSC030SDA070BДиод: DIODE SCHOTTKY 700V TO-247
    766Кешбэк 114 баллов
    APT30D60SGДиод: DIODE ULT FAST 30A 600V D3PAK
    633Кешбэк 94 балла
    JANTX1N5806US/TRUFR,FRR
    1 425Кешбэк 213 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП