Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
PCDP2065G1_T0_00001
  • В избранное
  • В сравнение
PCDP2065G1_T0_00001

PCDP2065G1_T0_00001

PCDP2065G1_T0_00001
;
PCDP2065G1_T0_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit
  • Артикул:
    PCDP2065G1_T0_00001
  • Описание:
    Диод: TO-220AC, SICВсе характеристики

Минимальная цена PCDP2065G1_T0_00001 при покупке от 1 шт 1021.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PCDP2065G1_T0_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PCDP2065G1_T0_00001

PCDP2065G1_T0_00001 Panjit Диод: TO-220AC, SIC

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение (UDRM): 650 В
    • Максимальный ток прямого тока (IDSM): 20 А
    • Тепловое сопротивление при переходе от корпуса к воздуху (θJA): 3.0°C/W
    • Тип: Силикатный диод (SIC)
  • Плюсы:
    • Высокая теплопроводность и термическая стабильность
    • Высокая скорость переключения
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к излучению и высоким температурам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Необходимость использования специального оборудования для производства и ремонта
    • Сложность в проектировании и монтаже из-за специфических требований к теплоотводу
  • Общее назначение:
    • Применяется в высоковольтных и высокочастотных системах
    • Используется в преобразователях напряжения и частоты (INV, PWM)
    • Обеспечивает эффективную передачу энергии в современных электропитаниях и управлениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных зарядных устройствах
    • Преобразователях энергии для электромобилей
    • Энергосберегающих системах
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики PCDP2065G1_T0_00001

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 20 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    120 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    747pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 PCDP2065G1_T0_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 1888 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 021 ₽
  • 10
    647 ₽
  • 100
    641 ₽
  • 500
    576 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit
  • Артикул:
    PCDP2065G1_T0_00001
  • Описание:
    Диод: TO-220AC, SICВсе характеристики

Минимальная цена PCDP2065G1_T0_00001 при покупке от 1 шт 1021.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PCDP2065G1_T0_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PCDP2065G1_T0_00001

PCDP2065G1_T0_00001 Panjit Диод: TO-220AC, SIC

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение (UDRM): 650 В
    • Максимальный ток прямого тока (IDSM): 20 А
    • Тепловое сопротивление при переходе от корпуса к воздуху (θJA): 3.0°C/W
    • Тип: Силикатный диод (SIC)
  • Плюсы:
    • Высокая теплопроводность и термическая стабильность
    • Высокая скорость переключения
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к излучению и высоким температурам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Необходимость использования специального оборудования для производства и ремонта
    • Сложность в проектировании и монтаже из-за специфических требований к теплоотводу
  • Общее назначение:
    • Применяется в высоковольтных и высокочастотных системах
    • Используется в преобразователях напряжения и частоты (INV, PWM)
    • Обеспечивает эффективную передачу энергии в современных электропитаниях и управлениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных зарядных устройствах
    • Преобразователях энергии для электромобилей
    • Энергосберегающих системах
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики PCDP2065G1_T0_00001

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 20 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    120 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    747pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 PCDP2065G1_T0_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N1204RDO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 163Кешбэк 174 балла
    1N5816RDO4 20 AMP RECTIFIER
    3 550Кешбэк 532 балла
    20F1020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    20F4020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    20F6020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    RS1JDFQ-13DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT
    57Кешбэк 8 баллов
    FM4001W-WDIODE GEN PURP 50V 1 A SMX
    156Кешбэк 23 балла
    R3000Диод: DIODE GEN PURP 3000V 200A DO15
    37Кешбэк 5 баллов
    R2500Диод: DIODE GEN PURP 2500V 200A DO15
    58Кешбэк 8 баллов
    1N5626Диод: R-600 PRV 3A
    892Кешбэк 133 балла
    1N5627R-800 PRV 3A
    879Кешбэк 131 балл
    1N1203DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 228Кешбэк 184 балла
    1N2138DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    2 708Кешбэк 406 баллов
    GI756Диод: R- 600 PRV 6A
    195Кешбэк 29 баллов
    NTE506Диод: R-SI-HI CUR/FAST SWITCH
    393Кешбэк 58 баллов
    1N1612DO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    803Кешбэк 120 баллов
    1N1185DO5 35 AMP SILICON RECTFIER
    2 316Кешбэк 347 баллов
    1N1126ADO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 961Кешбэк 294 балла
    1N1615DO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    803Кешбэк 120 баллов
    1N5625R-400 PRV 3A
    372Кешбэк 55 баллов
    1N1196A20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    2 768Кешбэк 415 баллов
    1N1663STD RECTIFIER
    6 443Кешбэк 966 баллов
    1N2128DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    1 112Кешбэк 166 баллов
    1N1616RDO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    1 174Кешбэк 176 баллов
    GI758R- 800 PRV 6A
    83Кешбэк 12 баллов
    1N4500SWITCHING DIODE
    5 238Кешбэк 785 баллов
    1N250ADO5 20 AMP SILICON RECTIFIER
    6 443Кешбэк 966 баллов
    70HF100DO5 70 AMP SILICON RECTFIER KK
    2 446Кешбэк 366 баллов
    S4BDIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB
    67Кешбэк 10 баллов
    HS5JDIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
    435Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП