PDTA123EE,115

Основные параметры: PNP транзистор, мощность рассеяния 150мВт, корпус SC75.

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): Обычно около -25В до -40В (требуется datasheet для точного значения).
• Ток коллектора (Ic): Обычно около -150мА до -300мА (требуется datasheet для точного значения).
• Коэффициент усиления по току (hFE): Зависит от тока коллектора, обычно от 100 до 300 (требуется datasheet для точного значения).

Плюсы:

• Малый размер корпуса SC75 позволяет использовать в компактных устройствах.
• Предназначен для предварительного смещения (prebias), что может упростить схемотехнические решения.
• Низкая мощность рассеяния подходит для применений с малым потреблением энергии.

Минусы:

• Относительно низкое напряжение и ток по сравнению с более крупными транзисторами.
• Требуется datasheet для получения точных характеристик (Vceo, Ic, hFE).

Общее назначение: Усиление и переключение сигналов в маломощных схемах.

Применяется в: Мобильных телефонах, портативных устройствах, схемах управления питанием, логических схемах, аудио- и видеооборудовании.