Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
PDZ8.2BGWJ
  • В избранное
  • В сравнение
PDZ8.2BGWJ

PDZ8.2BGWJ

PDZ8.2BGWJ
;
PDZ8.2BGWJ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDZ8.2BGWJ
  • Описание:
    DIODE ZENER 8.2V 365MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена PDZ8.2BGWJ при покупке от 1 шт 22.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDZ8.2BGWJ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDZ8.2BGWJ

PDZ8.2BGWJ Nexperia USA Inc. DIODE ZENER 8.2V 365MW SOD123

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенерирования: 8.2 В
    • Максимальная мощность: 365 мВт
    • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
    • Высокая точность зенерирования
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Высокий ток зенерирования при малых напряжениях
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации напряжения
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от переизбыточного напряжения
    • Компенсация изменений напряжения источника питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные электронные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики PDZ8.2BGWJ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    8.2 V
  • Допуск
    ±2.07%
  • Рассеивание мощности
    365 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    10 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 5 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    PDZ8.2

Техническая документация

 PDZ8.2BGWJ.pdf
pdf. 0 kb
  • 9154 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    22.8 ₽
  • 100
    6.8 ₽
  • 1000
    6.3 ₽
  • 5000
    5.8 ₽
  • 20000
    3.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDZ8.2BGWJ
  • Описание:
    DIODE ZENER 8.2V 365MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена PDZ8.2BGWJ при покупке от 1 шт 22.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDZ8.2BGWJ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDZ8.2BGWJ

PDZ8.2BGWJ Nexperia USA Inc. DIODE ZENER 8.2V 365MW SOD123

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенерирования: 8.2 В
    • Максимальная мощность: 365 мВт
    • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
    • Высокая точность зенерирования
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Высокий ток зенерирования при малых напряжениях
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации напряжения
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от переизбыточного напряжения
    • Компенсация изменений напряжения источника питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные электронные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики PDZ8.2BGWJ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    8.2 V
  • Допуск
    ±2.07%
  • Рассеивание мощности
    365 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    10 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 5 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    PDZ8.2

Техническая документация

 PDZ8.2BGWJ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZX84W-C75XDIODE ZENER 75V 275MW SOT323
    19Кешбэк 2 балла
    BZX84W-C15XDIODE ZENER 15V 275MW SOT323
    19Кешбэк 2 балла
    BZX84-B62,215Диод: DIODE ZENER 62V 250MW TO236AB
    19Кешбэк 2 балла
    1N4731A,133DIODE ZENER 4.3V 1W DO41
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZV85-C3V9,133Диод: DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41
    20.8Кешбэк 3 балла
    PDZ5.1B,115Диод: DIODE ZENER 5.1V 400MW SOD323
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZV85-C56,133Диод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZX84-C8V2,215Диод: DIODE ZENER 8.2V 250MW TO236AB
    22.7Кешбэк 3 балла
    PDZ8.2BGWJDIODE ZENER 8.2V 365MW SOD123
    22.7Кешбэк 3 балла
    BZX79-C27,113Диод: DIODE ZENER 27V 400MW ALF2
    22.7Кешбэк 3 балла
    BZX84-B43,215Диод: DIODE ZENER 43V 250MW TO236AB
    22.7Кешбэк 3 балла
    BZX84-B51,215Диод: DIODE ZENER 51V 250MW TO236AB
    22.7Кешбэк 3 балла
    BZV85-C12,133Диод: DIODE ZENER 12V 1W DO41
    22.7Кешбэк 3 балла
    BZX84W-B62XDIODE ZENER 62V 275MW SOT323
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX84W-B3V6FDIODE ZENER 3.6V 275MW SOT323
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX84W-B43FDIODE ZENER 43V 275MW SOT323
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C6V8,133Диод: DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C56,113Диод: DIODE ZENER 56V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C47,113Диод: DIODE ZENER 47V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C6V8,113Диод: DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX84-B39,215Диод: DIODE ZENER 39V 250MW TO236AB
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C51,143Диод: DIODE ZENER 51V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C9V1,143Диод: DIODE ZENER 9.1V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    MM3Z30VT1GXVOLTAGE REGULATOR DIODES
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX84-C51,215Диод: DIODE ZENER 51V 250MW TO236AB
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C4V3,113Диод: DIODE ZENER 4.3V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C47,133Диод: DIODE ZENER 47V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C6V8,143Диод: DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX79-C6V2,143Диод: DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2
    24.6Кешбэк 3 балла
    BZX84-C36,215Диод: DIODE ZENER 36V 250MW TO236AB
    26.5Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП