Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
PEMD30,115
  • В избранное
  • В сравнение
PEMD30,115

PEMD30,115

PEMD30,115
;
PEMD30,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PEMD30,115
  • Описание:
    Транзистор

Минимальная цена PEMD30,115 при покупке от 1 шт 87.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD30,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMD30,115

PEMD30,115 — это транзистор из семейства полевых транзисторов MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Nexperia USA Inc. Он предназначен для широкого спектра применений благодаря своим характеристикам.

  • Основные параметры:
    • Vds (Разрывное напряжение): 30 В
    • Ig (Направленный ток на гейт): 115 μA
    • Rdson (Сопротивление канала при нагрузке): 4.6 mΩ
    • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долгий срок службы
    • Малый ток на гейте, что снижает энергопотребление
    • Низкое сопротивление канала, что обеспечивает эффективную передачу тока
    • Широкий температурный диапазон
  • Минусы:
    • Высокие требования к подбору компонентов для работы в различных условиях
    • Требует точного подбора сопротивлений для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Увеличение или уменьшение тока в цепях
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Цифровые системы управления
    • Системы питания и преобразования напряжения

Техническая документация

 PEMD30,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 4000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    87 ₽
  • 100
    34 ₽
  • 1000
    23 ₽
  • 4000
    18.5 ₽
  • 12000
    16 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PEMD30,115
  • Описание:
    Транзистор

Минимальная цена PEMD30,115 при покупке от 1 шт 87.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD30,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMD30,115

PEMD30,115 — это транзистор из семейства полевых транзисторов MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Nexperia USA Inc. Он предназначен для широкого спектра применений благодаря своим характеристикам.

  • Основные параметры:
    • Vds (Разрывное напряжение): 30 В
    • Ig (Направленный ток на гейт): 115 μA
    • Rdson (Сопротивление канала при нагрузке): 4.6 mΩ
    • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долгий срок службы
    • Малый ток на гейте, что снижает энергопотребление
    • Низкое сопротивление канала, что обеспечивает эффективную передачу тока
    • Широкий температурный диапазон
  • Минусы:
    • Высокие требования к подбору компонентов для работы в различных условиях
    • Требует точного подбора сопротивлений для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Увеличение или уменьшение тока в цепях
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Цифровые системы управления
    • Системы питания и преобразования напряжения

Техническая документация

 PEMD30,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMF18XV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    37Кешбэк 5 баллов
    MUN5230DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    39Кешбэк 5 баллов
    MUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    40Кешбэк 6 баллов
    SMUN5113DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
    42Кешбэк 6 баллов
    MUN5211DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5235DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    SMUN5311DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5111DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5212DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5115DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5333DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5234DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5231DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5236DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    SMUN5131DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5215DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NSTB60BDW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5315DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5216DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5135DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5130DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5335DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    SMUN5237DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5334DW1T1GТранзистор
    46Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП