Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
PEMD4,115
  • В избранное
  • В сравнение
PEMD4,115

PEMD4,115

PEMD4,115
;
PEMD4,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PEMD4,115
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMD4,115 при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD4,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMD4,115

PEMD4,115 Nexperia Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

  • Основные параметры:
    • Тип: Преамп-биясированный транзистор (TRANS PREBIAS)
    • Варианты: NPN и PNP
    • Количество полупроводниковых слоев: 1
    • Монтажный тип: SOT666
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Устойчивость к шуму
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к поддержанию температурного режима
    • Необходимость точного подключения для предотвращения ошибок бияса
  • Общее назначение:
    • Использование в преампах (преамп-биясированные транзисторы)
    • Увеличение чувствительности в радиосистемах
    • Поддержание стабильности сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Аудиосистемы
    • Системы звукоусиления
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PEMD4,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMD4

Техническая документация

 PEMD4,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    99 ₽
  • 50
    83 ₽
  • 1000
    34 ₽
  • 4000
    17 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PEMD4,115
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMD4,115 при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD4,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMD4,115

PEMD4,115 Nexperia Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

  • Основные параметры:
    • Тип: Преамп-биясированный транзистор (TRANS PREBIAS)
    • Варианты: NPN и PNP
    • Количество полупроводниковых слоев: 1
    • Монтажный тип: SOT666
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Устойчивость к шуму
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к поддержанию температурного режима
    • Необходимость точного подключения для предотвращения ошибок бияса
  • Общее назначение:
    • Использование в преампах (преамп-биясированные транзисторы)
    • Увеличение чувствительности в радиосистемах
    • Поддержание стабильности сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Аудиосистемы
    • Системы звукоусиления
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PEMD4,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMD4

Техническая документация

 PEMD4,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMH60T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
    56Кешбэк 8 баллов
    EMD29T2RТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
    66Кешбэк 9 баллов
    UMD4NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
    70Кешбэк 10 баллов
    UMF28NTRТранзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
    70Кешбэк 10 баллов
    UMA3NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    70Кешбэк 10 баллов
    EMG3T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
    72Кешбэк 10 баллов
    EMH75T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
    72Кешбэк 10 баллов
    EMD62T2RТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    72Кешбэк 10 баллов
    EMH61T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
    72Кешбэк 10 баллов
    EMD53T2RТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    72Кешбэк 10 баллов
    EMA5T2RТранзистор
    74Кешбэк 11 баллов
    IMH10AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    76Кешбэк 11 баллов
    UMB9NTNТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UMG5NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    78Кешбэк 11 баллов
    UMA9NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    78Кешбэк 11 баллов
    UMC5NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
    78Кешбэк 11 баллов
    IMB11AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    80Кешбэк 12 баллов
    IMH2AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    80Кешбэк 12 баллов
    IMH11AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    80Кешбэк 12 баллов
    EMD6T2RТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    82Кешбэк 12 баллов
    UMA1NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    84Кешбэк 12 баллов
    IMH3AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    84Кешбэк 12 баллов
    UMG1NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5
    85Кешбэк 12 баллов
    UMD6NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    85Кешбэк 12 баллов
    UMH1NTNТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
    85Кешбэк 12 баллов
    UMB2NTNТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
    85Кешбэк 12 баллов
    UMA5NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    85Кешбэк 12 баллов
    UMG11NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    85Кешбэк 12 баллов
    UMG9NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    87Кешбэк 13 баллов
    EMB51T2RТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    87Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП