Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
PEMD4,115
  • В избранное
  • В сравнение
PEMD4,115

PEMD4,115

PEMD4,115
;
PEMD4,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PEMD4,115
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMD4,115 при покупке от 1 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD4,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMD4,115

PEMD4,115 Nexperia Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

  • Основные параметры:
    • Тип: Преамп-биясированный транзистор (TRANS PREBIAS)
    • Варианты: NPN и PNP
    • Количество полупроводниковых слоев: 1
    • Монтажный тип: SOT666
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Устойчивость к шуму
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к поддержанию температурного режима
    • Необходимость точного подключения для предотвращения ошибок бияса
  • Общее назначение:
    • Использование в преампах (преамп-биясированные транзисторы)
    • Увеличение чувствительности в радиосистемах
    • Поддержание стабильности сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Аудиосистемы
    • Системы звукоусиления
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PEMD4,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMD4

Техническая документация

 PEMD4,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    96 ₽
  • 50
    81 ₽
  • 1000
    33 ₽
  • 4000
    16.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PEMD4,115
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMD4,115 при покупке от 1 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD4,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMD4,115

PEMD4,115 Nexperia Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

  • Основные параметры:
    • Тип: Преамп-биясированный транзистор (TRANS PREBIAS)
    • Варианты: NPN и PNP
    • Количество полупроводниковых слоев: 1
    • Монтажный тип: SOT666
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Устойчивость к шуму
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к поддержанию температурного режима
    • Необходимость точного подключения для предотвращения ошибок бияса
  • Общее назначение:
    • Использование в преампах (преамп-биясированные транзисторы)
    • Увеличение чувствительности в радиосистемах
    • Поддержание стабильности сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Аудиосистемы
    • Системы звукоусиления
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PEMD4,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMD4

Техническая документация

 PEMD4,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RN4907,LFТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1910FE,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1511(TE85L,F)Транзистор
    65Кешбэк 9 баллов
    RN1703JE(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
    70Кешбэк 10 баллов
    RN2703JE(TE85L,F)Транзистор
    74Кешбэк 11 баллов
    RN1902,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
    59Кешбэк 8 баллов
    RN4602TE85LFТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
    74Кешбэк 11 баллов
    RN2605(TE85L,F)Транзистор
    69Кешбэк 10 баллов
    RN1906FE,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    39Кешбэк 5 баллов
    RN1502(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
    67Кешбэк 10 баллов
    RN1604(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
    65Кешбэк 9 баллов
    RN1905,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1904FE,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    39Кешбэк 5 баллов
    RN4606(TE85L,F)Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
    61Кешбэк 9 баллов
    RN4984,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    59Кешбэк 8 баллов
    RN1903,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
    49Кешбэк 7 баллов
    RN2904,LF(CTТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
    48Кешбэк 7 баллов
    RN2507(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
    67Кешбэк 10 баллов
    RN1605TE85LFТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
    67Кешбэк 10 баллов
    RN2906,LFТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
    52Кешбэк 7 баллов
    RN4983,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    52Кешбэк 7 баллов
    RN1705JE(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
    70Кешбэк 10 баллов
    RN1507(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
    59Кешбэк 8 баллов
    RN4982,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    52Кешбэк 7 баллов
    RN4603(TE85L,F)Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
    69Кешбэк 10 баллов
    RN49A2,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    50Кешбэк 7 баллов
    RN1510(TE85L,F)Транзистор
    69Кешбэк 10 баллов
    RN1701JE(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
    70Кешбэк 10 баллов
    DCX124EK-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
    67Кешбэк 10 баллов
    DCX124EU-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    67Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП