Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
PEMD6,115
  • В избранное
  • В сравнение
PEMD6,115

PEMD6,115

PEMD6,115
;
PEMD6,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PEMD6,115
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMD6,115 при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD6,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMD6,115

PEMD6,115 Nexperia USA Inc. Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

  • Основные параметры:
    • Тип: преамп (PREBIAS)
    • Тип полупроводникового элемента: 1NPN и 1PNP
    • Монтаж: SOT666
    • Рабочий диапазон температур: от -55°C до +150°C
    • Потребляемая мощность: до 300 mW
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Быстрый переключатель
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию схемы
    • Сложность в использовании для начинающих
  • Общее назначение:
    • Использование в предварительных усилителях
    • Применение в цифровых и аналоговых цепях
    • Поддержка высокоскоростных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильная электроника
    • Производственное оборудование
    • Информационные технологии
Выбрано: Показать

Характеристики PEMD6,115

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMD6

Техническая документация

 PEMD6,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 2937 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 ₽
  • 50
    48 ₽
  • 500
    23.7 ₽
  • 2000
    19 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PEMD6,115
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMD6,115 при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD6,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMD6,115

PEMD6,115 Nexperia USA Inc. Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

  • Основные параметры:
    • Тип: преамп (PREBIAS)
    • Тип полупроводникового элемента: 1NPN и 1PNP
    • Монтаж: SOT666
    • Рабочий диапазон температур: от -55°C до +150°C
    • Потребляемая мощность: до 300 mW
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Быстрый переключатель
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию схемы
    • Сложность в использовании для начинающих
  • Общее назначение:
    • Использование в предварительных усилителях
    • Применение в цифровых и аналоговых цепях
    • Поддержка высокоскоростных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильная электроника
    • Производственное оборудование
    • Информационные технологии
Выбрано: Показать

Характеристики PEMD6,115

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMD6

Техническая документация

 PEMD6,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PUMD24,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    44Кешбэк 6 баллов
    PUMD17,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD48,125Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD13,135Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD15,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD6,135Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH16,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMB16,115Транзистор: NOW NEXPERIA PUMB16 - SMALL SIGN
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH10,125Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD9,135Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD18,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD48,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMB15,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMB1,135Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    45.5Кешбэк 6 баллов
    PUMB18,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    47Кешбэк 7 баллов
    PUMD10,135Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    49Кешбэк 7 баллов
    PIMD2,125Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    63Кешбэк 9 баллов
    PIMD3,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    63Кешбэк 9 баллов
    PUMH15,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    68Кешбэк 10 баллов
    PUMB4,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    70Кешбэк 10 баллов
    PUMB30,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    73Кешбэк 10 баллов
    PQMH10ZТранзистор
    74Кешбэк 11 баллов
    PIMH9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSOP
    76Кешбэк 11 баллов
    PEMH15,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
    82Кешбэк 12 баллов
    PEMH11,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
    82Кешбэк 12 баллов
    PEMD6,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
    82Кешбэк 12 баллов
    PEMH13,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
    82Кешбэк 12 баллов
    PEMD12,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
    82Кешбэк 12 баллов
    PEMD9,315Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
    82Кешбэк 12 баллов
    PEMD3,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
    82Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП