Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PEMZ1,115

PEMZ1,115

PEMZ1,115
;
PEMZ1,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена PEMZ1,115 при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMZ1,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMZ1,115

PEMZ1,115 Nexperia USA Inc.

  • Тип: Транзистор NPN/PNP
  • Напряжение наCollector-Base (VCEO): 40В
  • Разрядная способность (IC): 0,1А
  • Пакет: SOT666

Основные параметры:

  • Напряжение наCollector-Base (VCEO): 40В позволяет транзистору работать с высокими напряжениями.
  • Разрядная способность (IC): 0,1А указывает на ограничение по току, который может проходить через транзистор.
  • Пакет SOT666: компактный и удобный для монтажа.

Плюсы:

  • Высокое напряжение наCollector-Base (VCEO) обеспечивает широкий диапазон применения.
  • Компактный размер пакета SOT666.
  • Устойчивость к перегреву.

Минусы:

  • Максимальный ток разряда (IC) составляет только 0,1А, что ограничивает его использование в высокотоковых приложениях.
  • Несмотря на низкую мощность, может быть чувствителен к внешним условиям и не подходить для всех типов нагрузок.

Общее назначение:

  • Используется для регулирования тока в электронных цепях.
  • Обеспечивает логическую функциональность в цифровых устройствах.
  • Служит для управляющего элемента в различных схемах.

Применяется в:

  • Цифровых системах управления.
  • Антеннах и приемниках радиосигналов.
  • Маломощных источниках питания.
  • Инверторах и преобразователях.
Выбрано: Показать

Характеристики PEMZ1,115

  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMZ1

Техническая документация

PEMZ1,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 570 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 ₽
  • 50
    48 ₽
  • 500
    23.7 ₽
  • 2000
    19 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена PEMZ1,115 при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMZ1,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMZ1,115

PEMZ1,115 Nexperia USA Inc.

  • Тип: Транзистор NPN/PNP
  • Напряжение наCollector-Base (VCEO): 40В
  • Разрядная способность (IC): 0,1А
  • Пакет: SOT666

Основные параметры:

  • Напряжение наCollector-Base (VCEO): 40В позволяет транзистору работать с высокими напряжениями.
  • Разрядная способность (IC): 0,1А указывает на ограничение по току, который может проходить через транзистор.
  • Пакет SOT666: компактный и удобный для монтажа.

Плюсы:

  • Высокое напряжение наCollector-Base (VCEO) обеспечивает широкий диапазон применения.
  • Компактный размер пакета SOT666.
  • Устойчивость к перегреву.

Минусы:

  • Максимальный ток разряда (IC) составляет только 0,1А, что ограничивает его использование в высокотоковых приложениях.
  • Несмотря на низкую мощность, может быть чувствителен к внешним условиям и не подходить для всех типов нагрузок.

Общее назначение:

  • Используется для регулирования тока в электронных цепях.
  • Обеспечивает логическую функциональность в цифровых устройствах.
  • Служит для управляющего элемента в различных схемах.

Применяется в:

  • Цифровых системах управления.
  • Антеннах и приемниках радиосигналов.
  • Маломощных источниках питания.
  • Инверторах и преобразователях.
Выбрано: Показать

Характеристики PEMZ1,115

  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMZ1

Техническая документация

PEMZ1,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории